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AON7409 发布时间 时间:2025/5/8 9:41:57 查看 阅读:5

AON7409是Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型DFN2020-8封装,具有极低的导通电阻和快速开关特性,适用于多种便携式电子设备中的负载开关、同步整流器以及DC-DC转换器等应用。AON7409的设计注重效率与性能,在低压环境下表现出色。

参数

最大漏源电压:6V
  连续漏电流:5.3A
  导通电阻(典型值):1.5mΩ
  栅极电荷:1.5nC
  总电容:15pF
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

AON7409是一款高性能的功率MOSFET,主要特点如下:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),使其在大电流应用中能够显著减少功耗。
  2. 小尺寸DFN2020-8封装适合高密度设计,满足现代电子产品对空间节省的需求。
  3. 快速开关能力,可有效降低开关损耗。
  4. 支持高频工作环境,适合用于高效的DC-DC转换器。
  5. 提供卓越的热稳定性,在高温条件下仍能保持稳定的电气性能。

应用

AON7409广泛应用于需要高效功率转换和低功耗的场景,具体包括:
  1. 消费类电子产品的负载开关。
  2. 各种DC-DC转换器中的同步整流器。
  3. 移动设备内的电源管理模块。
  4. 可穿戴设备及其他小型化电子装置中的电源开关。
  5. 网络通信设备的低侧开关。

替代型号

AON7408

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AON7409参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)16A(Ta),32A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8.5 毫欧 @ 16A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.7V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)58 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2142 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Ta),96W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN-EP(3x3)
  • 封装/外壳8-PowerVDFN