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AON6924 发布时间 时间:2025/5/20 16:52:43 查看 阅读:7

AON6924是东芝(Toshiba)公司生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等需要高效功率管理的场景。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效率、高性能电路设计的理想选择。
  AON6924采用了TO-252(DPAK)封装形式,能够提供良好的散热性能和电气稳定性。它具有出色的开关速度和较低的栅极电荷,从而在高频应用中表现出优异的性能。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:17A
  导通电阻:3.2mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  栅极电荷:28nC(典型值)
  工作结温范围:-55℃至175℃
  总功耗:31W(@Ta=25℃)
  静态漏电流:100nA(典型值,@Vgs=0V)

特性

AON6924的主要特点是其非常低的导通电阻,这使得它可以最大限度地减少导通损耗,从而提高整体系统效率。
  此外,AON6924的快速开关特性和低栅极电荷进一步减少了开关损耗,在高频条件下表现尤为突出。
  其TO-252封装形式具备良好的散热性能,确保在大电流应用场景下依然保持稳定运行。
  该器件还支持较宽的工作温度范围,适用于各种恶劣环境下的工业和汽车级应用。
  最后,由于其出色的电气性能和可靠性,功率密度的设计中非常受欢迎。

应用

AON6924广泛应用于消费电子、工业控制以及汽车电子领域。常见的具体应用包括:
  1. 开关电源中的同步整流器
  2. DC-DC转换器中的功率开关
  3. 负载开关和保护电路
  4. 电池管理系统中的开关元件
  5. 电机驱动和逆变器
  6. 各种便携式设备中的电源管理单元
  总之,AON6924凭借其卓越的性能和可靠性,适用于所有需要高效功率管理的场合。

替代型号

AO4402, IRF7843, FDMF6692

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AON6924参数

  • 特色产品AON6924 30 V Asymmetric N-Channel MOSFET
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 通道(双),肖特基
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A,85A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.2 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs21nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1560pF @ 15V
  • 功率 - 最大2W,2.2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-DFN-EP(5x6)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1371-6