时间：2025/5/27 18:09:03
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SUP75N06-08是一款N沟道增强型MOSFET，适用于高频开关和功率管理应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，能够在高达60V的工作电压下稳定运行。其典型应用场景包括开关电源、电机驱动、负载开关以及DC-DC转换器等。此外，SUP75N06-08还具备良好的热稳定性和耐用性，能够满足严苛环境下的工作需求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：75A
导通电阻：8mΩ（典型值）
栅极电荷：19nC（最大值）
输入电容：2420pF
总功耗：150W
工作温度范围：-55℃至+150℃
SUP75N06-08的主要特性如下：
1. 高击穿电压设计，支持最高60V的操作电压。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），在特定条件下减少功率损耗并提升效率。
3. 快速开关性能，栅极电荷低至19nC，确保更少的能量消耗和更快的切换速度。
4. 大电流处理能力，额定连续漏极电流为75A，适合高功率应用。
5. 宽泛的工作温度范围（-55℃至+150℃），适应各种恶劣环境条件。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源和不间断电源系统中的功率开关。
2. 各类电机驱动电路，如步进电机和无刷直流电机控制。
3. 负载开关和保护>4. DC-DC转换器和降压/升压模块，提供高效的能量转换。
5. 工业自动化设备中的功率管理和信号传输部分。
SUP75N06-06
SUP75N06L-08
IRF7510
FDP75N06L
