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AON6528 发布时间 时间:2025/6/5 10:43:57 查看 阅读:7

AON6528是一款由Alpha and Omega Semiconductor(万国半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及其他需要高效功率管理的场景。
  该芯片封装为SOT-23-3L,体积小巧,便于在紧凑的设计中使用,同时具备出色的电气性能和热性能。

参数

型号:AON6528
  类型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
  封装:SOT-23-3L
  Vds(漏源极电压):30V
  Vgs(栅源极电压):±20V
  Rds(on)(导通电阻):45mΩ @ Vgs = 4.5V
  Id(持续漏极电流):3.7A
  功耗:0.5W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

AON6528的主要特点是其超低的导通电阻(Rds(on)),在Vgs为4.5V时仅为45mΩ,从而能够显著降低导通损耗并提高整体效率。
  此外,该器件还具有快速的开关速度,可支持高频操作,减少磁性元件尺寸,进一步优化设计空间。
  由于其小体积的SOT-23-3L封装,AON6528非常适合便携式电子设备和其他对空间要求严格的系统。
  AON6528还具有良好的雪崩能力和抗静电能力,确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。

应用

AON6528广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器中的同步整流
  3. 负载开关
  4. 电池保护电路
  5. 消费类电子产品中的功率管理模块
  6. 工业控制系统的功率级驱动
  7. LED驱动器
  8. 通信设备中的小型化功率解决方案

替代型号

AON6528A, AON6529, AO3400

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AON6528参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列AlphaMOS
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6.3 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)22 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1037 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)25W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线