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LTL432BPTLT1G 发布时间 时间:2025/8/13 15:29:20 查看 阅读:23

LTL432BPTLT1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款低功耗、高精度电压基准芯片,采用SOT-23-5封装。该器件属于并联型电压基准,具有良好的温度稳定性和负载调整能力,适用于需要精密参考电压的各种模拟和混合信号电路应用。

参数

类型:并联电压基准
  输出电压:2.5 V
  初始精度:±0.5%
  温度系数:50 ppm/℃
  工作电流范围:10 μA 至 15 mA
  封装类型:SOT-23-5
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  最大耗散功率:200 mW

特性

LTL432BPTLT1G 是一款高性能并联电压基准,具备优异的温度稳定性与低初始误差。其50 ppm/℃的温度系数确保了在不同环境温度下依然能提供稳定的参考电压。该器件的初始精度为±0.5%,适合对精度要求较高的应用场景。
  该电压基准支持从10 μA到15 mA的宽工作电流范围,使得其在低功耗系统中表现尤为出色,同时也能满足较高负载需求。LTL432BPTLT1G 采用SOT-23-5小型封装,节省空间,便于在高密度PCB设计中使用。其内部结构设计优化,具备良好的负载调整率和线性调整率,确保输出电压在各种工作条件下保持高度稳定。
  此外,该器件的工作温度范围为-40°C至+125°C,适用于工业级和汽车级应用环境,具备良好的环境适应性。其最大耗散功率为200 mW,在高负载工作时也能保持良好的热稳定性。

应用

LTL432BPTLT1G 常用于需要高精度参考电压的模拟电路中,如数据采集系统、ADC/DAC参考源、精密测量仪器、电源管理系统、电池供电设备、工业控制系统以及汽车电子模块等。该器件的高稳定性和宽工作电流范围使其成为众多精密应用的理想选择。

替代型号

TL432BILTLEMT, LM431BIM3X-NOPB, NCP431BDR2G

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