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AON6500 发布时间 时间:2025/4/30 17:06:51 查看 阅读:4

AON6500是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种功率转换和负载切换应用。AON6500的工作电压范围宽广,能够在高电流条件下保持高效的性能表现。
  这款MOSFET主要针对消费类电子、通信设备以及工业控制等领域的应用设计,其封装形式为SOT-23,适合表面贴装工艺,有助于提高电路板的空间利用率。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:3.1A
  导通电阻:45mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  栅极电荷:3.7nC(典型值)
  总电容:19pF(典型值)
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

AON6500具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻能够减少功率损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关性能使得它非常适合高频DC-DC转换器以及其他开关电源应用。
  3. 小巧的SOT-23封装使其易于集成到空间受限的设计中。
  4. 优秀的热稳定性和可靠性,确保在恶劣环境下也能正常工作。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

AON6500广泛应用于各种需要高效功率管理的场景,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和负载开关。
  2. 便携式设备如智能手机、平板电脑和其他电池供电装置的电源管理。
  3. LED驱动器和电机驱动中的功率调节。
  4. 计算机外设、网络设备及消费类电子产品中的保护电路。
  5. 工业自动化控制系统中的信号处理和功率分配模块。

替代型号

AO3400
  IRLML6401
  FDMQ8207

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AON6500参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C71A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C0.95 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs145nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds7036pF @ 15V
  • 功率 - 最大7.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-DFN-EP(5x6)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1420-6