时间：2025/5/15 15:11:24
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AON6298是一款由Alpha and Omega Semiconductor（万代半导体）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用Trench工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换应用。其封装形式为DFN5x6-8L，适合用于空间受限的设计。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：17A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
总栅极电荷(Qg)：16nC
输入电容(Ciss)：1140pF
开关频率：支持高达1MHz的应用
AON6298具有非常低的导通电阻，能够显著降低功率损耗，提高整体效率。
由于采用了先进的Trench MOSFET技术，该器件还具备快速开关性能，非常适合高频应用环境。
此外，DFN5x6封装有助于改善热性能，并且与传统封装相比，提供更小的占板面积。
AON6298还具有出色的雪崩能力和抗静电能力(ESD)，确保在严苛条件下可靠运行。
AON6298广泛应用于消费电子、工业设备以及通信领域中的各种电路设计。
典型应用场景包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动、电池保护电路以及便携式设备中的电源管理单元(PMU)。
由于其高频特性和低导通电阻，该MOSFET特别适合于对效率和尺寸要求较高的产品设计。
AO6298, AONR6298
