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CM316X7R225M10AT 发布时间 时间:2025/8/6 16:26:24 查看 阅读:24

CM316X7R225M10AT是一款由Chipmos公司制造的存储器芯片,属于DRAM(动态随机存取存储器)类别。该芯片主要用于电子设备中作为临时数据存储器,具备较高的数据读写速度和较低的功耗,适用于多种嵌入式系统和消费电子产品。

参数

容量:256K x 16位
  电压:2.3V至3.6V
  封装类型:TSOP
  封装尺寸:54引脚
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  访问时间:10ns
  最大工作频率:100MHz

特性

CM316X7R225M10AT具备高速数据存取能力,访问时间仅为10ns,能够满足高性能系统的需求。芯片采用低功耗设计,在待机模式下电流消耗极低,适用于对功耗敏感的应用场景。此外,其宽电压范围(2.3V至3.6V)允许其在多种电源条件下稳定工作,增强了系统的兼容性。
  该器件采用54引脚TSOP封装,体积小巧,便于在空间受限的设计中使用。工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保其在恶劣环境中也能可靠运行。内置刷新电路和自动省电模式,有助于减少外部控制的复杂度,提高系统稳定性。
  CM316X7R225M10AT还支持异步操作模式,允许与不同类型的控制器配合使用,扩展了其应用范围。整体来看,该芯片在性能、功耗和可靠性方面取得了良好的平衡,适用于通信设备、工业控制、汽车电子等多种应用场景。

应用

CM316X7R225M10AT广泛应用于各类需要临时数据存储的电子系统中,包括但不限于网络设备、工业控制板、智能卡终端、视频采集设备以及汽车电子模块。其低功耗和小封装特性使其特别适合于便携式设备和嵌入式系统。

替代型号

IS61LV25616-10T, CY7C199-10VC, IDT71V016S10PFG

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