制造商：SK Hynix
　　类型：DRAM
　　容量：1Gbit
　　组织结构：128M x 8
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：54-ball FBGA
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　电压供应：2.3V - 3.6V（VDD）
　　接口类型：异步
　　最大访问时间：5.4ns
　　最大频率：166MHz
　　封装高度：1.0mm max

H5TC1G63EFR-G7I 是一款高性能异步DRAM芯片，具有低功耗和高可靠性的特点，适用于多种电子设备。该芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），使其在不同工作环境下都能保持稳定运行。其FBGA封装技术不仅提高了空间利用率，还增强了热管理和电气性能。
　　该芯片的异步接口设计意味着其操作不依赖于系统时钟，适合需要灵活控制和低延迟的应用场景。此外，H5TC1G63EFR-G7I 的最大访问时间为5.4ns，工作频率可达166MHz，确保了快速的数据读写能力。
　　为了满足工业级和消费类应用的需求，该芯片的工作温度范围设计为-40°C至+85°C，适用于各种严苛环境。其封装尺寸小巧（54-ball FBGA），非常适合空间受限的设计。由于其高集成度和成熟的技术，H5TC1G63EFR-G7I 成为了许多嵌入式系统、工业控制器和网络设备中理想的存储解决方案。
　　在实际应用中，H5TC1G63EFR-G7I 可用于缓存存储、临时数据存储以及需要高速访问的场景，例如网络交换机、路由器、打印机、视频监控设备等。其优异的电气特性和稳定性使其在长期运行中表现出色，降低了系统故障率，提高了整体可靠性。

H5TC1G63EFR-G7I 主要用于需要中等容量高速存储的设备中。典型应用包括网络基础设施设备（如路由器、交换机）、工业控制系统、打印机、POS终端、视频监控设备、消费类电子产品（如智能电视、游戏机）等。在这些设备中，它常被用作缓存存储器或主存储器的一部分，以提高系统响应速度和数据处理能力。
　　在网络设备中，该芯片可以作为数据包缓存使用，确保高速数据传输时的稳定性和低延迟。在工业控制领域，它能够支持实时数据处理和临时存储，提升控制系统的反应速度。在消费类电子产品中，H5TC1G63EFR-G7I 可用于图像处理、程序运行缓存等场景，提升用户体验。
　　由于其宽温度范围和高可靠性，H5TC1G63EFR-G7I 也适用于户外设备和车载电子系统，如车载导航、行车记录仪等。在这些应用中，芯片需要在较宽的温度范围内保持稳定工作，H5TC1G63EFR-G7I 正好具备这一特性。

H5PS1G63EFR-S6C, H5PS1G63EFR-S6C, H5PS1G63EFR-Y5C, HY62V641620BLL-5.4S