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1N5357B 发布时间 时间:2025/5/8 13:09:06 查看 阅读:12

1N5357B是一种常见的硅雪崩整流二极管,属于1N535X系列。它具有较高的反向击穿电压和较低的正向压降,适用于开关电源、逆变器、电机驱动器等需要快速开关特性的电路中。该器件能够承受瞬态电压尖峰,并具备良好的温度稳定性和可靠性。

参数

最大重复峰值反向电压:75V
  最大平均正向电流:3.0A
  最大浪涌电流:220A
  正向电压(If=1A):0.75V
  反向漏电流(VR=75V,Tj=25℃):5μA
  结电容:约4pF
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

1N5357B采用了硅平面技术制造,具备低反向漏电流和高可靠性。
  其设计允许在高频应用中使用,同时保持较低的正向压降以减少功耗。
  此外,由于其高浪涌电流能力,1N5357B非常适合用作保护电路中的箝位二极管或续流二极管。
  该二极管还具有较短的反向恢复时间,使其成为开关模式电源的理想选择。

应用

1N5357B广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下场景:
  - 开关电源中的整流与保护功能
  - 逆变器电路中的续流路径
  - 电机驱动器中的自由轮二极管
  - 各种过压保护电路
  - 脉冲电路中的箝位元件
  这些应用充分利用了1N5357B的高耐压、大电流承载能力和快速响应特性。

替代型号

1N5357
  1N5357A
  MRA3075T3G
  1N5367B

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1N5357B参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列Surmetic™
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)20V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 1A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500nA @ 15.2V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大5W
  • 阻抗(最大)(Zzt)3 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳T-18,轴向
  • 供应商设备封装轴向
  • 包装散装
  • 工作温度-65°C ~ 200°C
  • 其它名称1N5357BOS