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AON6284A 发布时间 时间:2025/5/10 17:21:10 查看 阅读:9

AON6284A是Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用小尺寸的DFN33-2L封装,具有极低的导通电阻和出色的开关性能,非常适合用于便携式电子设备中的负载开关、同步整流以及DC/DC转换等应用。
  该芯片的设计目标是提供高效率和小尺寸的解决方案,能够有效减少电路板空间占用,同时降低功耗。其主要特点是低导通电阻、低栅极电荷和高工作频率,适用于各种对能效和空间有严格要求的应用场景。

参数

最大漏源电压:30V
  最大连续漏电流:3.7A
  导通电阻(Rds(on)):15mΩ(典型值,在Vgs=4.5V时)
  栅极电荷:1.9nC(典型值)
  总电容:185pF(典型值)
  工作结温范围:-55°C至+150°C
  封装形式:DFN33-2L

特性

AON6284A具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 小型化封装设计,适合紧凑型PCB布局。
  3. 高速开关能力,可支持高频PWM控制。
  4. 出色的热稳定性,能够在宽温度范围内保持性能。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅。
  这些特性使得AON6284A成为便携式电子产品和功率管理模块的理想选择。

应用

AON6284A广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  1. 手机和平板电脑的电源管理系统。
  2. 可穿戴设备中的负载开关。
  3. USB充电器及适配器的同步整流。
  4. 便携式电池供电设备的DC/DC转换。
  5. 各类消费类电子产品中的功率调节功能。
  其高效能和紧凑设计特别适合需要高性能与小型化的现代电子产品。

替代型号

AON6208A
  AON6228A
  AO4608
  AO4620

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AON6284A参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥4.46419卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)80 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)48A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6.5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)52 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2540 pF @ 40 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)56W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线