时间：2025/4/29 10:05:01
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SI7139DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET Gen III 技术，具有极低的导通电阻和优秀的开关性能，适用于需要高效能和高频率操作的应用场景。
其封装形式为 TO-252 (DPAK)，能够承受较高的电流负载，并具备出色的热性能表现。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：28A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷（典型值）：45nC
输入电容（典型值）：1020pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI7139DP-T1-GE3 的主要特点是其非常低的导通电阻和高效率的开关性能，这使得它非常适合于要求低损耗和高效率的应用环境。
1. 超低导通电阻：该器件在典型条件下具有 4.5mΩ 的导通电阻，从而减少了传导损耗。
2. 高效率：由于采用了先进的 TrenchFET Gen III 技术，此 MOSFET 在高频应用中表现出色，适合 DC/DC 转换器等场景。
3. 小巧封装：TO-252 封装提供了良好的散热性能同时保持了较小的尺寸。
4. 广泛的工作温度范围：支持从 -55°C 到 +175°C 的宽温范围，满足工业及汽车级应用的需求。
5. 可靠性高：通过多项质量测试，确保长期稳定运行。
SI7139DP-T1-GE3 广泛应用于各种电力电子领域，例如：
1. 开关电源 (SMPS)：
- AC/DC 和 DC/DC 转换器
2. 电机驱动：
- 各类工业电机控制
3. 照明系统：
- LED 驱动器
4. 电池管理：
- 保护电路、充放电控制
5. 汽车电子：
- 车载充电器、电动助力转向系统 (EPS) 等
SI7156DP, IRF7846TRPBF, FDMQ8207
