AON6154是一款由Alpha and Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TOLL封装,具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于高效能开关应用。
此MOSFET广泛应用于负载开关、DC-DC转换器、电池保护电路以及其他功率管理场景中。其出色的性能特点使其成为众多设计工程师的理想选择。
型号:AON6154
类型:N沟道MOSFET
封装:TOLL
Vds(漏源极电压):30V
Rds(on)(导通电阻):2.8mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
Id(连续漏极电流):97A
Vgs(栅源极电压):±20V
功耗:约280W(具体取决于散热条件)
工作温度范围:-55℃至175℃
AON6154具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻Rds(on),仅为2.8mΩ,可有效降低传导损耗。
2. 高额定电流,支持高达97A的连续漏极电流。
3. TOLL封装形式提供卓越的热性能和电气性能。
4. 宽广的工作温度范围,适应极端环境下的使用需求。
5. 具备快速开关速度,有助于减少开关损耗并提升系统效率。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
AON6154主要应用于以下领域:
1. DC-DC转换器中的功率开关元件。
2. 负载开关用于服务器、网络设备和存储解决方案。
3. 电池保护与管理系统中的核心组件。
4. 电机驱动和逆变器中的功率级控制。
5. 各类便携式电子设备的电源管理单元。
6. 汽车电子系统中的高性能功率切换元件。
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