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IPP60R165CP 发布时间 时间:2025/4/30 9:42:01 查看 阅读:24

IPP60R165CP是英飞凌(Infineon)推出的一款基于TRENCHSTOP?技术的MOSFET器件,适用于高频开关应用。该产品采用了先进的沟槽式场效应晶体管结构,具有低导通电阻、快速开关特性和高效率等优点。
  IPP60R165CP的设计目标是满足工业电源、电机驱动和可再生能源等领域的需求。其优化的动态特性使其成为硬开关和软开关拓扑的理想选择。

参数

最大漏源电压:600V
  导通电阻(典型值):165mΩ
  连续漏极电流:12A
  栅极电荷(Qg):34nC
  反向恢复时间(trr):95ns
  工作温度范围:-55℃ to +150℃
  封装形式:TO-247

特性

IPP60R165CP以其卓越的电气性能和可靠性著称。
  1. 高击穿电压:600V,确保在高压环境下的稳定运行。
  2. 超低导通电阻:165mΩ(典型值),显著降低功率损耗。
  3. 快速开关速度:得益于低栅极电荷设计,能够实现高效开关。
  4. 短反向恢复时间:仅95ns,减少了开关过程中的能量损失。
  5. 广泛的工作温度范围:从-55℃到+150℃,适应各种恶劣环境条件。
  6. TO-247封装:提供优秀的散热性能和机械稳定性。

应用

IPP60R165CP广泛应用于多种电力电子设备中:
  1. 开关电源(SMPS):如适配器、充电器及工业电源系统。
  2. 电机驱动:包括伺服电机控制和变频器。
  3. 新能源领域:例如太阳能逆变器和储能系统。
  4. 工业自动化设备:如PLC控制器、机器人驱动电路。
  5. 不间断电源(UPS):提供可靠的备用电源解决方案。

替代型号

IPP60R185CP, IPP60R140CP

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IPP60R165CP参数

  • 数据列表IPP60R165CP
  • 产品培训模块CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C21A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C165 毫欧 @ 12A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 790µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs52nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2000pF @ 100V
  • 功率 - 最大192W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装PG-TO220-3
  • 包装管件
  • 其它名称IPP60R165CPXIPP60R165CPXKSP000084279