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AON2801 发布时间 时间:2025/4/30 14:20:22 查看 阅读:22

AON2801是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用小型化的SOT-23封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于便携式设备、消费类电子产品以及各种需要高效能功率管理的应用场景。
  该器件主要应用于负载开关、同步整流、DC-DC转换器、电池保护电路等场合,其出色的电气性能使得它在众多设计中成为理想的功率开关选择。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  持续漏极电流:1.5A
  导通电阻(Rds(on)):160mΩ(典型值,Vgs=4.5V时)
  总功耗:420mW
  结温范围:-55℃至+150℃

特性

AON2801的主要特性包括:
  1. 超低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提升效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用。
  3. 小型化SOT-23封装,节省PCB空间。
  4. 栅极电荷较低,驱动更简单且能耗更低。
  5. 提供了出色的热稳定性和可靠性,适用于严苛的工作环境。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

AON2801广泛应用于以下领域:
  1. 消费电子设备中的负载开关控制。
  2. 电池供电设备中的电源管理。
  3. 各种DC-DC转换器及同步整流电路。
  4. 过流保护和短路保护电路。
  5. 工业自动化设备中的小型信号切换。
  6. 其他对小型化和高效能有要求的功率管理应用场景。

替代型号

AO3401A
  IRLML6402
  SI2302DS
  FDMQ8207

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AON2801参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C120 毫欧 @ 3A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs6.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds700pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装6-DFN-EP(2x2)
  • 包装带卷 (TR)