AON2801是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用小型化的SOT-23封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于便携式设备、消费类电子产品以及各种需要高效能功率管理的应用场景。
该器件主要应用于负载开关、同步整流、DC-DC转换器、电池保护电路等场合,其出色的电气性能使得它在众多设计中成为理想的功率开关选择。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±8V
持续漏极电流:1.5A
导通电阻(Rds(on)):160mΩ(典型值,Vgs=4.5V时)
总功耗:420mW
结温范围:-55℃至+150℃
AON2801的主要特性包括:
1. 超低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提升效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用。
3. 小型化SOT-23封装,节省PCB空间。
4. 栅极电荷较低,驱动更简单且能耗更低。
5. 提供了出色的热稳定性和可靠性,适用于严苛的工作环境。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
AON2801广泛应用于以下领域:
1. 消费电子设备中的负载开关控制。
2. 电池供电设备中的电源管理。
3. 各种DC-DC转换器及同步整流电路。
4. 过流保护和短路保护电路。
5. 工业自动化设备中的小型信号切换。
6. 其他对小型化和高效能有要求的功率管理应用场景。
AO3401A
IRLML6402
SI2302DS
FDMQ8207