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RSD080N06TL 发布时间 时间:2025/5/9 12:34:58 查看 阅读:20

RSD080N06TL是一款N沟道功率MOSFET,属于STMicroelectronics的MDmesh?技术产品系列。该器件采用TO-220封装形式,具有低导通电阻和高电流处理能力的特点,适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用场合。
  这款MOSFET通过优化单元结构设计,实现了较低的导通损耗与开关损耗,从而提高效率并降低发热。此外,其具备较高的雪崩击穿能量能力(EAS),在短路或过载情况下能够提供更高的可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:97A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:39nC
  总电荷:52nC
  输入电容:2320pF
  反向恢复时间:48ns
  工作结温范围:-55℃ to +175℃

特性

RSD080N06TL采用了先进的MDmesh? DMOS技术,具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(RDS(on)),有助于减少传导损耗,并提升系统效率。
  2. 较高的雪崩击穿能量(EAS)值,增强了器件在异常情况下的耐受能力。
  3. 低栅极电荷和输出电荷,确保快速切换,从而降低开关损耗。
  4. 可靠性高,适用于恶劣环境下的工业及汽车应用。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

RSD080N06TL广泛应用于各种需要高效功率管理的场景中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电池管理系统(BMS)
  4. 工业电机控制
  5. 汽车电子中的负载开关和继电器替代
  6. 不间断电源(UPS)系统
  7. 太阳能逆变器和其他可再生能源应用

替代型号

RSD180N06TL, RSD140N06TL

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RSD080N06TL参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,500 : ¥4.44082卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)80 毫欧 @ 8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)9.4 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)380 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)15W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装CPT3
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63