时间：2025/5/9 12:34:58
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RSD080N06TL是一款N沟道功率MOSFET，属于STMicroelectronics的MDmesh?技术产品系列。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用场合。
这款MOSFET通过优化单元结构设计，实现了较低的导通损耗与开关损耗，从而提高效率并降低发热。此外，其具备较高的雪崩击穿能量能力（EAS），在短路或过载情况下能够提供更高的可靠性。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：97A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：39nC
总电荷：52nC
输入电容：2320pF
反向恢复时间：48ns
工作结温范围：-55℃ to +175℃
RSD080N06TL采用了先进的MDmesh? DMOS技术，具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少传导损耗，并提升系统效率。
2. 较高的雪崩击穿能量（EAS）值，增强了器件在异常情况下的耐受能力。
3. 低栅极电荷和输出电荷，确保快速切换，从而降低开关损耗。
4. 可靠性高，适用于恶劣环境下的工业及汽车应用。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
RSD080N06TL广泛应用于各种需要高效功率管理的场景中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电池管理系统（BMS）
4. 工业电机控制
5. 汽车电子中的负载开关和继电器替代
6. 不间断电源（UPS）系统
7. 太阳能逆变器和其他可再生能源应用
RSD180N06TL, RSD140N06TL
