RSD080N06TL是一款N沟道功率MOSFET,属于STMicroelectronics的MDmesh?技术产品系列。该器件采用TO-220封装形式,具有低导通电阻和高电流处理能力的特点,适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用场合。
这款MOSFET通过优化单元结构设计,实现了较低的导通损耗与开关损耗,从而提高效率并降低发热。此外,其具备较高的雪崩击穿能量能力(EAS),在短路或过载情况下能够提供更高的可靠性。
最大漏源电压:60V
最大连续漏极电流:97A
导通电阻:1.8mΩ
栅极电荷:39nC
总电荷:52nC
输入电容:2320pF
反向恢复时间:48ns
工作结温范围:-55℃ to +175℃
RSD080N06TL采用了先进的MDmesh? DMOS技术,具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(RDS(on)),有助于减少传导损耗,并提升系统效率。
2. 较高的雪崩击穿能量(EAS)值,增强了器件在异常情况下的耐受能力。
3. 低栅极电荷和输出电荷,确保快速切换,从而降低开关损耗。
4. 可靠性高,适用于恶劣环境下的工业及汽车应用。
5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
RSD080N06TL广泛应用于各种需要高效功率管理的场景中,包括但不限于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电池管理系统(BMS)
4. 工业电机控制
5. 汽车电子中的负载开关和继电器替代
6. 不间断电源(UPS)系统
7. 太阳能逆变器和其他可再生能源应用
RSD180N06TL, RSD140N06TL