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AON2701 发布时间 时间:2025/4/29 18:05:12 查看 阅读:29

AON2701是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用小尺寸的SOT-23封装形式,适合于空间受限的应用场景。AON2701以其低导通电阻和高开关速度著称,广泛应用于便携式电子设备、电源管理电路以及信号切换等场景。
  AON2701的工作电压范围为30V,适用于中低功率的电路设计。其低导通电阻特性使其在高效能需求的应用中表现优异,同时其快速开关能力有助于减少开关损耗。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  持续漏极电流:1.9A
  导通电阻:160mΩ
  栅极电荷:4.5nC
  开关时间:典型值t_on=11ns,t_off=25ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

AON2701具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,可有效降低功耗并提高系统效率。
  2. 小型SOT-23封装,节省PCB空间,适合便携式设备。
  3. 快速开关性能,能够适应高频应用环境。
  4. 较宽的工作温度范围,确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
  5. 高可靠性设计,满足长期使用的稳定性要求。
  这些特点使AON2701成为许多电源管理应用的理想选择,包括负载开关、DC-DC转换器和电池管理等领域。

应用

AON2701适用于多种电子应用领域,具体包括:
  1. 便携式电子产品中的负载开关,如智能手机、平板电脑和其他移动设备。
  2. DC-DC转换器中的同步整流开关,用于提高转换效率。
  3. 电池保护电路,提供过流和短路保护功能。
  4. 信号切换电路,用于多路信号的选择与切换。
  5. 各种低功率电机驱动控制,实现精确的速度和方向控制。
  由于其小尺寸和高性能,AON2701特别适合需要紧凑设计和高效能的场合。

替代型号

AO3400
  IRLML6401
  FDMQ8207

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AON2701参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C120 毫欧 @ 3A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs6.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds700pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.5W,1.45W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装6-DFN-EP(2x2)
  • 包装带卷 (TR)