类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流 (Ic)：100 mA
　　最大集电极-发射极电压 (Vce)：30 V
　　最大集电极-基极电压 (Vcb)：30 V
　　最大功耗 (Ptot)：300 mW
　　电流增益 (hFE)：在 2 mA 时为 110 到 800（根据等级不同）
　　频率响应（fT）：250 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

LUDZS27MBT1G 晶体管具有优异的高频性能，适合用于射频和中频放大器设计。其封装形式为 SOT-23，便于在表面贴装电路中使用，同时提供了良好的热稳定性和机械强度。晶体管的 hFE 值范围较广，可以根据具体需求选择不同增益等级的器件，从而优化电路性能。此外，LUDZS27MBT1G 的低噪声特性使其在音频放大和低噪声前置放大电路中表现出色。该晶体管还具有良好的温度稳定性和可靠性，适合在严苛的工业和汽车环境中使用。
　　晶体管的封装尺寸小，适合高密度 PCB 布局，并且符合 RoHS 环保标准，不含铅等有害物质。LUDZS27MBT1G 的设计使其在低功耗应用中也表现出色，特别适用于便携式设备和电池供电系统。该器件的多功能性和可靠性使其成为许多电子项目中的首选晶体管。

LUDZS27MBT1G 常用于音频放大器、射频信号放大器和中频放大器的设计。此外，它还可用于开关电路、传感器信号调理、电压调节和电子控制模块。由于其高频性能和低噪声特性，这款晶体管非常适合用于通信设备、工业自动化系统和汽车电子应用。LUDZS27MBT1G 还广泛应用于模拟电路设计，如运算放大器前端、信号增强器和低噪声前置放大器等场景。

BC547, 2N3904, PN2222A