时间：2025/3/24 9:06:59
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AOD66620是一款N沟道增强型MOSFET，采用先进的制造工艺设计，适用于高效率、高频开关应用。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提升系统性能。
AOD66620通常用于电源管理、电机驱动、负载开关等场景中。其紧凑的封装形式使其非常适合对空间要求严格的便携式设备。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：7.9A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：38nC
总电容：1540pF
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用。
3. 超低的栅极电荷（Qg）支持高效的开关操作。
4. 紧凑的封装设计，节省PCB空间。
5. 广泛的工作温度范围确保在各种环境下的可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器和降压/升压模块。
3. 消费类电子产品的负载开关。
4. 工业自动化中的电机驱动电路。
5. LED照明驱动电路。
6. 电池管理系统（BMS）中的保护和切换功能。
AON66620, AO46620
