3SK137V 时间：2025/9/7 14:21:28 阅读：27

3SK137V 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道结型场效应晶体管（JFET），主要用于低噪声前置放大器等高频信号处理电路中。这款晶体管具有优异的低噪声性能和良好的高频特性，使其在音频放大、测量仪器、通信设备等领域得到广泛应用。3SK137V 是一款常见的双栅JFET，其设计旨在优化信号的线性度和稳定性，适用于对噪声敏感的高精度模拟电路。

参数

类型：N沟道JFET
　　漏极电流（IDSS）：典型值为12mA（在VGS=0V，VDS=10V条件下）
　　跨导（Gm）：典型值为4.5mS（在VGS=-0.5V，f=1kHz时）
　　输入电容（Ciss）：约7pF
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-92或类似小型封装
　　漏-源击穿电压（BVDSS）：25V
　　栅-源击穿电压（BVGSS）：-30V

特性

3SK137V 具备以下主要特性：
　　首先，其低噪声系数使其非常适合用于高精度信号放大，尤其是在前置放大器应用中，可以有效降低整个系统的噪声底。该器件的噪声指数（NF）通常在0.5dB以下，频率范围广泛，适用于从音频到中频的各种信号处理场景。
　　其次，该JFET具有良好的线性特性，有助于减少信号失真，提高音频系统的音质表现。由于其双栅结构，能够实现对增益的精确控制，这在一些需要动态调节的应用中尤为重要。　　最后，该器件的封装形式小巧，便于在紧凑型电路中使用。同时，其工作温度范围宽广，能够在极端环境下稳定工作，适合工业级和专业级设备的使用需求。

应用

3SK137V 主要用于以下几类应用场景：
　　首先，该器件广泛应用于音频前置放大器中，特别是在高保真音频系统、电吉他前置放大器、麦克风前置放大器等对音质要求较高的设备中。其低噪声和高线性度特性能够显著提升音频信号的清晰度和细节表现。
　　其次，3SK137V 也常用于测量仪器和测试设备中的信号放大环节，如频谱分析仪、信号发生器、高精度示波器等。这些设备需要极低的噪声和稳定的增益特性，而3SK137V 的性能恰好能够满足这些要求。
　　此外，该JFET也广泛应用于无线通信系统中的中频放大器和射频前端电路，用于提升接收信号的强度并减少噪声干扰。由于其良好的高频响应和稳定性，3SK137V 也适合用于射频信号的前置放大。
　　在一些模拟混音器和音频处理设备中，3SK137V 的双栅结构被用来实现增益控制功能，从而简化电路设计并提高控制精度。