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AOD5N40 发布时间 时间:2025/5/9 15:25:22 查看 阅读:7

AOD5N40是一款基于先进的制造工艺设计的MOSFET器件,具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件适用于各种功率转换应用,包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。
  AOD5N40在性能上能够有效降低功率损耗,提高系统效率,同时其紧凑的封装形式使得它非常适合于空间受限的设计。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:6.7A
  导通电阻:29mΩ
  栅极电荷:10nC
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:SOT23

特性

AOD5N40具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗。
  2. 高速开关能力,适合高频应用。
  3. 小型化封装,便于PCB布局。
  4. 良好的热稳定性和可靠性,确保在严苛环境下正常工作。
  5. 支持宽范围的工作温度,适应多种工业环境需求。

应用

AOD5N40广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器的核心开关元件。
  3. 电池保护电路中的负载开关。
  4. 电机驱动和逆变器控制。
  5. 各种便携式电子设备的功率管理模块。
  6. 汽车电子系统的辅助功率处理单元。

替代型号

AO3400
  IRLZ44N
  FDP5802

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AOD5N40参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)400V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.6 欧姆 @ 1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds400pF @ 25V
  • 功率 - 最大78W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252,(D-Pak)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1360-6