时间：2025/8/1 19:19:41
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AUIRLR3636TRR 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）推出的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，例如在电源管理、DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等电路中。AUIRLR3636TRR 采用先进的沟道技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高电流能力，以满足现代电源设计对效率和热性能的严格要求。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极连续电流（Id）：120A（在 25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大 1.75mΩ（在 Vgs=10V）
功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerPAK SO-8
AUIRLR3636TRR 功率 MOSFET 的关键特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件的低 Rds(on) 值为 1.75mΩ（在 Vgs=10V 时），使其适用于高电流应用。此外，AUIRLR3636TRR 具有较高的电流承载能力，在 25°C 环境温度下可支持高达 120A 的连续漏极电流，非常适合用于高功率密度的设计。
其 PowerPAK SO-8 封装提供了优异的热性能和电气性能，有助于有效散热，从而提高器件在高负载条件下的可靠性。该封装还具有较小的占板面积，适合空间受限的应用。
该 MOSFET 还具备良好的高频开关性能，降低了开关损耗，适用于高频开关电源设计。此外，AUIRLR3636TRR 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动损耗并提高开关速度。该器件的栅源电压（Vgs）额定值为 ±20V，提供了良好的栅极保护，适用于多种驱动电路环境。
在可靠性方面，AUIRLR3636TRR 工作温度范围广泛，从 -55°C 到 +175°C，确保了其在极端环境下的稳定运行。该器件还具有良好的抗雪崩能力，增强了其在高压瞬态条件下的耐用性。
AUIRLR3636TRR 广泛应用于各种功率电子系统中，尤其是在需要高效率和高电流能力的场合。常见应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路以及电池管理系统（BMS）。该器件也常用于服务器电源、电信电源、笔记本电脑和台式机的电源管理模块中。
由于其低导通电阻和高电流能力，AUIRLR3636TRR 非常适合用于同步整流器设计，以提高电源转换效率。此外，其 PowerPAK SO-8 封装的小型化特性使其成为空间受限应用的理想选择，例如便携式电子设备和嵌入式系统中的电源管理电路。
在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载信息娱乐系统（IVI）中的电源管理模块。其宽工作温度范围和高可靠性也使其适用于工业自动化和控制系统中的高负载电源设计。
SiS626, NexFET CSD87351L, AUIRLR3634TRR
