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AOD450A70 发布时间 时间:2025/4/28 18:23:21 查看 阅读:2

AOD450A70是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,主要用于高频开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高效率并降低功耗。
  其封装形式通常为TO-220或TO-252等,适用于各种工业、汽车及消费类电子设备中的电源管理电路。

参数

最大漏源电压:70V
  连续漏极电流:45A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:38nC
  输入电容:1650pF
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

AOD450A70的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,并提升系统效率。
  2. 快速开关速度,适合高频应用环境。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 紧凑且高效的热性能设计,确保了长期工作的稳定性。
  5. 宽广的工作温度范围,满足严苛环境下的使用需求。

应用

该器件广泛应用于多个领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器的核心功率元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 各种保护电路,如过流保护和短路保护。
  5. 汽车电子系统中的负载切换与电源管理。

替代型号

AOD450A60,AOD450A80

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AOD450A70参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥6.66260卷带(TR)
  • 系列aMOS5?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)700 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)450 毫欧 @ 2.3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.6V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)20 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1115 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)125W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252(DPAK)
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63