时间：2025/8/30 19:40:50
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3R090SB-8 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效功率转换应用而设计。该器件采用先进的技术，提供低导通电阻和快速开关性能，适用于电源管理、电机控制和DC-DC转换器等应用。3R090SB-8 采用标准的TO-220封装，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：90A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：@10V VGS下约为3.0mΩ，@4.5V VGS下约为4.5mΩ
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
3R090SB-8 的主要特性包括低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少功率损耗并提高效率。该器件在高电流下仍能保持稳定的性能，适用于高功率密度设计。此外，其快速开关特性可降低开关损耗，提高系统效率。该MOSFET还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。TO-220封装提供了良好的散热性能，确保在高功率应用中的稳定运行。
器件设计考虑了短路和过热保护能力，使其在苛刻的工业环境中具有更高的可靠性。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持在不同驱动条件下稳定工作，适用于多种应用场景。
3R090SB-8 常用于电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路。它适用于工业自动化设备、电动工具、电动车和电池管理系统等高功率应用。此外，该器件还可用于电源适配器、UPS（不间断电源）、服务器电源和太阳能逆变器等需要高效功率转换的场合。
STL90N3LLH5、IPB090N3LLN、IRF3205、SiR900DP、FDMS8878
