AO9926A是东芝(Toshiba)推出的一款N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于各种功率转换和开关电路中。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力的特点,适用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等场景。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:48A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:45nC
总电容:210pF
功耗:20W
工作温度范围:-55℃至150℃
AO9926A是一款性能优越的MOSFET,主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在10V下的典型值为1.5mΩ,这有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 快速的开关速度,栅极电荷较小(45nC),可实现高频应用。
3. 高电流承载能力,支持高达48A的连续漏极电流。
4. 具备出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定运行。
5. 小型封装设计,便于PCB布局与散热管理。
这些特性使AO9926A成为高性能功率转换和开关应用的理想选择。
AO9926A广泛应用于以下领域:
1. DC-DC转换器和降压电路中的主开关或同步整流元件。
2. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动。
4. 多种电源管理模块中的功率开关。
5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制元件。
由于其优异的性能,AO9926A特别适合需要高效功率转换和大电流处理的应用场景。
AO9926
IRLB8748PBF
Si7154DP