时间：2025/5/22 19:12:43
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AO6702是一款N沟道增强型MOSFET，采用DFN5060-8L封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于多种高效能的功率转换应用中。其极低的导通电阻和小型化封装使其非常适合空间受限的设计环境，同时也能满足对效率和散热有较高要求的应用需求。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：6.9A
导通电阻：14mΩ（在Vgs=10V时）
总功耗：2.2W
工作结温范围：-55℃至+150℃
AO6702具有非常低的导通电阻，从而减少了传导损耗并提高了整体效率。
其小型化的DFN5060-8L封装有助于节省PCB空间，特别适合便携式设备。
该器件具备良好的热性能，在高负载条件下能够稳定运行。
由于其快速开关能力，AO6702非常适合高频开关应用，例如DC-DC转换器、同步整流和负载开关等场景。
AO6702广泛应用于消费电子领域中的各种电源管理电路。
典型应用场景包括手机和平板电脑中的充电管理电路、LED驱动电路、电机驱动以及电池保护电路。
它也适用于笔记本电脑适配器、USB充电器以及其他需要高效能功率转换的场合。
IRF7437, BSS138
