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AO4406AL 发布时间 时间:2025/12/24 0:09:38 查看 阅读:14

AO4406AL 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor (AOS) 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种电源管理应用,如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等。AO4406AL 的封装形式为 LFPAK56 (DDPAK),具有良好的散热性能和紧凑的尺寸,便于在空间受限的设计中使用。
  其额定电压为 30V,能够承受较高的漏源电压,同时具备出色的电流处理能力,适用于消费电子、工业设备以及通信设备中的高效能转换需求。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:81A
  导通电阻:1.1mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:79nC
  反向恢复时间:27ns
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C

特性

AO4406AL 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 高电流承载能力,支持大功率应用。
  3. 快速开关性能,可减少开关损耗。
  4. 小型化封装设计,节省 PCB 空间。
  5. 较宽的工作温度范围,适应多种环境条件。
  6. 内置 ESD 保护功能,提升器件可靠性。
  7. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

AO4406AL 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 各类负载开关和电机驱动电路。
  3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  4. 通信基础设施中的高效电源管理方案。
  5. 笔记本电脑适配器及充电器。
  6. LED 驱动器和其他需要高性能功率转换的应用场景。

替代型号

AO4406, IRFS7443PBF, FDP067N06L

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AO4406AL参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)13A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)11.5 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)17 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)910 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SOIC
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)