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BSW47 发布时间 时间:2025/9/2 21:16:39 查看 阅读:6

BSW47 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性,适用于中高功率应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):5A(在25℃时)
  导通电阻(Rds(on)):最大值47mΩ(当Vgs=10V时)
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装形式:TO-220、D2PAK等

特性

BSW47 MOSFET具有低导通电阻,这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗,提高系统效率。其低Rds(on)特性也意味着在导通状态下产生的热量更少,从而提高了整体系统的可靠性。
  该器件具备较高的电流承载能力,能够在5A的连续漏极电流下稳定工作,适合用于中高功率应用,如电源适配器、DC-DC转换器和负载开关电路。
  BSW47采用耐用的封装设计,具备良好的热管理和散热性能,能够在较高环境温度下正常运行,增强了其在工业和汽车应用中的适用性。
  此外,该MOSFET具有较高的栅极耐压能力(±20V),使其在复杂驱动环境下具备更高的稳定性和抗干扰能力。

应用

BSW47广泛应用于各种电源管理系统中,例如电池供电设备、电源适配器和DC-DC转换器,用于实现高效的能量转换。
  在电机控制和负载开关电路中,BSW47可用于控制高电流负载的开关操作,提供快速响应和稳定的性能。
  该器件也适用于工业自动化设备、汽车电子系统和智能电表等需要高效功率管理的场景。

替代型号

STB4NK50Z、IRF540N、FDP55N25、BSW45

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