时间：2025/9/2 21:16:39
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BSW47 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于中高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：5A（在25℃时）
导通电阻(Rds(on))：最大值47mΩ（当Vgs=10V时）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220、D2PAK等
BSW47 MOSFET具有低导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。其低Rds(on)特性也意味着在导通状态下产生的热量更少，从而提高了整体系统的可靠性。
该器件具备较高的电流承载能力，能够在5A的连续漏极电流下稳定工作，适合用于中高功率应用，如电源适配器、DC-DC转换器和负载开关电路。
BSW47采用耐用的封装设计，具备良好的热管理和散热性能，能够在较高环境温度下正常运行，增强了其在工业和汽车应用中的适用性。
此外，该MOSFET具有较高的栅极耐压能力（±20V），使其在复杂驱动环境下具备更高的稳定性和抗干扰能力。
BSW47广泛应用于各种电源管理系统中，例如电池供电设备、电源适配器和DC-DC转换器，用于实现高效的能量转换。
在电机控制和负载开关电路中，BSW47可用于控制高电流负载的开关操作，提供快速响应和稳定的性能。
该器件也适用于工业自动化设备、汽车电子系统和智能电表等需要高效功率管理的场景。
STB4NK50Z、IRF540N、FDP55N25、BSW45
