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AO4290A 发布时间 时间:2025/7/5 17:49:09 查看 阅读:92

AO4290A是一款N沟道增强型MOSFET,由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,非常适合用于消费电子、计算机和通信设备中的电源管理应用。其小型化封装使得它在空间受限的设计中具有显著优势。
  AO4290A的主要特点是低导通电阻和高能效,这使其成为DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器和其他功率转换电路的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  持续漏极电流:12A
  导通电阻:4.5mΩ
  总栅极电荷:7nC
  开关速度:快速
  封装形式:LFPAK56(D2PAK)

特性

AO4290A具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高整体效率。
  2. 快速开关性能,减少开关损耗,适合高频应用。
  3. 高能效设计,适用于需要高性能和低功耗的应用场景。
  4. 小型化封装,节省PCB空间。
  5. 可靠性高,符合严格的工业标准,确保长期稳定运行。
  这些特性使AO4290A成为多种功率转换和控制应用中的理想选择。

应用

AO4290A广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品,如智能手机充电器、平板电脑适配器等。
  2. 计算机及外设,例如笔记本电脑电源管理模块。
  3. 通信设备,包括基站电源、网络路由器供电电路。
  4. DC-DC转换器和负载开关,用于各种便携式设备。
  5. 电机驱动器,为小型直流电机提供高效驱动能力。
  其多功能性和高效性能使得AO4290A在众多应用场合中表现出色。

替代型号

AO4290, IRF7846, FDMQ8207

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AO4290A参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,500 : ¥5.63451卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)15.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6.4 毫欧 @ 15.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)95 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4525 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SOIC
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)