AM99C2561-35 时间：2025/9/29 23:36:40 阅读：10

AM99C2561-35是一款由艾迈斯半导体（ams）生产的非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）芯片。该器件结合了传统SRAM的高速读写性能与非易失性存储技术的优势，能够在断电情况下保存数据，适用于对数据保存可靠性要求较高的应用场景。AM99C2561-35的存储容量为256 Kbit，组织形式为32K x 8位，即具备32,768个地址位置，每个地址可存储8位数据。该芯片采用先进的Sonos（Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon）技术实现非易失性存储单元，在无需外部电池或超级电容的情况下，能够自动将SRAM中的数据在电源失效时快速、可靠地保存到非易失性存储区中。此外，该器件支持标准的并行接口协议，兼容通用微处理器和微控制器的总线时序，便于系统集成。
　　AM99C2561-35工作电压为5V，支持商业级和工业级温度范围，具有较高的抗干扰能力和稳定性。其内置的自动存储（Autostore）功能可在检测到电源电压下降至预设阈值以下时，自动触发数据从SRAM向非易失性存储器的转移，确保关键数据不丢失。同时，该芯片还支持硬件触发的手动存储（Hardware Store）功能，允许用户通过外部控制信号主动执行存储操作，提高了系统的灵活性和可控性。由于其高可靠性、长寿命和免维护特性，AM99C2561-35广泛应用于工业自动化、医疗设备、通信基础设施、航空航天以及金融终端等领域。

参数

型号：AM99C2561-35
　　容量：256 Kbit (32K x 8)
　　电源电压：5V ±10%
　　访问时间：35 ns
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：SOIC-28、DIP-28
　　接口类型：并行异步
　　存储技术：Sonos NVSRAM
　　数据保持时间：典型值10年（断电状态下）
　　写耐久性：10^6 次存储周期
　　自动存储触发电压：约4.5V
　　存储周期时间：典型值10μs

特性

AM99C2561-35的核心特性之一是其基于Sonos技术的非易失性存储架构，这种技术利用硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构作为电荷俘获层，相较于传统的浮栅EEPROM或Flash，具有更低的编程电压、更高的耐久性和更长的数据保持能力。该器件在正常操作下表现如同标准高速SRAM，支持全速读写操作，访问时间低至35ns，能够满足高性能嵌入式系统对实时数据处理的需求。其非易失性写入过程通过片上集成的高压发生器完成，无需外部元件即可实现数据保存，简化了PCB设计并提升了系统可靠性。
　　另一个重要特性是自动存储（Autostore）功能。当供电电压下降至预设阈值（通常为4.5V左右）时，芯片内部的电压监控电路会立即响应，启动数据保护机制，将SRAM中的当前内容复制到非易失性存储阵列中。整个过程在几微秒内完成，且由内部定时电路精确控制，确保即使在突发断电情况下也能完整保存数据。此外，该芯片还支持手动存储（Hardware Store）模式，用户可通过拉低特定引脚（如/HSB）来主动触发存储操作，适用于需要精确控制数据保存时机的应用场景。
　　AM99C2561-35具备高达100万次的写入/存储耐久性，远超传统EEPROM或Flash器件的典型10万次限制，使其适用于频繁更新数据的环境。其数据在断电后可保持长达10年以上，满足工业和车载应用的长期可靠性要求。器件采用标准并行接口设计，具备地址线（A0-A14）、数据线（DQ0-DQ7）及控制信号（/CE、/OE、/WE），易于与各类MPU/MCU连接。所有输入引脚均具备TTL电平兼容性，降低了系统设计复杂度。此外，该芯片在待机模式下的功耗极低，有助于节能设计。

应用

AM99C2561-35广泛应用于需要高速数据记录与断电保护的关键系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、运动控制器和人机界面（HMI）设备中，用于保存运行参数、故障日志和配置信息，确保在意外断电后仍能恢复现场状态。在医疗电子设备中，如监护仪、影像设备和便携式诊断仪器，该芯片可用于存储患者数据、校准参数和操作记录，保障数据安全与合规性。
　　通信设备如路由器、交换机和基站控制器也常采用AM99C2561-35来缓存配置信息和运行日志，避免因电源波动导致配置丢失。在金融终端设备，如POS机、ATM和票据打印机中，该器件用于保存交易流水、打印队列和设备状态，防止交易数据在断电时丢失，提升系统安全性与用户体验。此外，在测试与测量仪器、航空电子系统以及军事装备中，AM99C2561-35因其高可靠性、宽温工作能力和长寿命，成为理想的数据保护解决方案。其无需电池的设计也符合现代电子产品对环保和免维护的要求，适用于难以更换电池或维护成本高的封闭式设备。