类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN HEMT）
　　漏源电压（Vds）：150V
　　连续漏极电流（Id）：30A
　　脉冲漏极电流（Id, pulse）：120A
　　导通电阻（Rds(on)）：9mΩ
　　阈值电压（Vth）：2.2V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：4500pF
　　输出电容（Coss）：1200pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0C
　　栅极电荷（Qg）：45nC
　　最大工作结温（Tj）：150°C
　　封装形式：DFN8x8 或类似底部散热型贴片封装
　　安装方式：表面贴装（SMD）

FD1500AV-90的核心优势在于其基于氮化镓材料的优异物理特性所带来的高性能表现。首先，该器件具有极低的导通电阻（仅9mΩ），这显著降低了在大电流条件下的导通损耗，从而提升了整体系统的能效水平。尤其在高频率开关电源中，如服务器电源、车载充电机和光伏逆变器中，这种低损耗特性可以直接转化为更高的功率密度和更小的散热需求。
　　其次，由于氮化镓材料本身具有更高的电子迁移率和更优的二维电子气（2DEG）特性，FD1500AV-90展现出极快的开关速度，能够支持数百kHz甚至MHz级别的开关频率运行。这一特点使得外部无源元件（如电感和电容）的尺寸得以大幅缩小，进一步推动电源模块的小型化与轻量化设计。
　　再者，该器件采用了增强型（E-mode）结构设计，即在零栅极偏压下处于关断状态，符合大多数应用对“常关”安全特性的要求，简化了驱动电路的设计难度并提高了系统安全性。相比耗尽型氮化镓器件，无需负压关断或复杂的电平移位电路，可直接与常见的CMOS或专用GaN驱动IC接口匹配。
　　在热管理方面，FD1500AV-90的封装设计强调高效散热路径，底部带有大面积裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至散热层，有效降低热阻，提升长期工作的可靠性。同时，器件具备良好的动态性能一致性，在多管并联应用中表现出优异的均流能力。
　　最后，FD1500AV-90还具备较强的抗dv/dt和di/dt能力，减少了因快速开关引起的振荡和电磁干扰问题。内置的体二极管虽然不具备传统硅MOSFET那样的反向导通能力，但由于其反向恢复电荷为零（Qrr=0），在硬开关拓扑中可避免反向恢复损耗，提升系统效率。这些综合特性使其成为下一代高效能电力电子系统中的理想选择。

FD1500AV-90广泛应用于需要高效率、高频率和高功率密度的现代电力电子系统中。典型应用领域包括但不限于：数据中心和云计算设备中的48V中间总线转换器（IBC）及VRM（电压调节模块），这类系统对能效和空间利用率有极高要求，FD1500AV-90凭借其低Rds(on)和高开关频率能力，可在不牺牲效率的前提下实现更高的功率密度。
　　在新能源汽车领域，该器件可用于车载OBC（车载充电机）和DC-DC变换器中，特别是在双向充电架构中发挥关键作用。其快速开关能力和高温工作稳定性有助于提升整车能源利用效率，并减少冷却系统的体积和重量。
　　此外，FD1500AV-90也适用于工业电源、电信整流器、UPS不间断电源以及太阳能逆变器等场合。在射频功率放大应用中，它也可作为高效D类或E类放大器的核心开关元件，用于高频能量传输系统，如无线充电基站和感应加热设备。
　　随着5G基础设施的发展，该器件还可用于小型基站的电源管理单元，满足紧凑型设备对散热和效率的双重挑战。同时，在高端消费类电子产品，如大功率笔记本适配器、游戏主机电源中，FD1500AV-90也有望替代传统硅器件，带来更轻便、更高效的用户体验。

EPC2045
　　GaN Systems GS-065B25B-LS-E
　　Navitas NV6128
　　Power Integrations InnoGaN系列INN6178C