时间：2025/11/14 8:58:47
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CL31C221KGFNNNE 是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于C0G（NP0）电介质系列，具有出色的温度稳定性和低损耗特性，适用于对电容值稳定性要求较高的高频电路和精密模拟电路中。该电容器采用标准的0603封装尺寸（1608公制），额定电容为220pF，公差为±10%，额定电压为50V DC。其非磁性结构和小型化设计使其非常适合在高密度PCB布局、射频（RF）模块、滤波器、振荡器以及医疗电子设备中使用。CL31C221KGFNNNE符合RoHS环保标准，并具备良好的焊接可靠性和长期稳定性，是工业、通信和消费类电子产品中的常用被动元件之一。
电容：220pF
容差：±10%
额定电压：50V DC
电介质：C0G (NP0)
温度特性：0 ±30ppm/°C
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
封装尺寸：0603 (1.6 x 0.8 mm)
厚度：0.9mm Max
端接：镍/锡（Ni/Sn）
绝缘电阻：≥40 GΩ·μF
时间常数：≥40,000 seconds
ESR：典型值 < 10 mΩ
自谐振频率（SRF）：约 1.5 GHz
磁性：非磁性
CL31C221KGFNNNE 所采用的C0G（NP0）电介质材料赋予了该电容器卓越的电气稳定性。C0G是一种Class I陶瓷材料，具有几乎线性的温度系数，其电容值随温度的变化极小，通常在-55°C至+125°C范围内变化不超过±30ppm/°C，确保了在极端环境下的性能一致性。这种高度稳定的特性使得该器件特别适合用于需要精确频率控制的电路中，例如LC振荡回路、带通滤波器和匹配网络等。此外，C0G介质还具备极低的介电损耗（tan δ < 0.1%），这意味着在高频应用下能量损耗极小，不会引起明显的发热或信号衰减，从而提高了系统的整体效率。
该电容器的结构设计优化了高频响应能力，其小型化的0603封装不仅节省PCB空间，还能有效降低寄生电感，提升自谐振频率（SRF），实测可达约1.5GHz以上，使其在GHz级射频应用中仍能保持良好的电容行为。同时，其低等效串联电阻（ESR）进一步增强了在高频去耦和噪声抑制方面的表现。非磁性端接工艺避免了因磁性材料引入的干扰问题，特别适用于高灵敏度射频前端模块和MRI等医疗成像设备。
从可靠性角度来看，CL31C221KGFNNNE 经过严格的制造过程控制，具备优异的抗热冲击能力和耐湿性，在回流焊过程中表现出良好的稳健性。其绝缘电阻高达40GΩ·μF以上，漏电流极低，适用于高阻抗模拟电路和采样保持电路。此外，该器件通过AEC-Q200认证的可能性较高（需查证具体批次），可用于汽车电子中的传感器模块和ADAS系统。综合来看，这款MLCC凭借其稳定性、高频性能和高可靠性，广泛应用于通信基础设施、工业自动化、高端消费电子及医疗仪器等领域。
无线通信设备中的射频匹配与滤波电路
高精度振荡器与时钟生成电路
医疗电子设备如超声波仪和心电图机中的信号调理模块
测试与测量仪器中的高频耦合与去耦应用
汽车电子中的传感器接口和ADAS射频模块
工业控制系统的模拟前端和数据采集单元
消费类电子产品中的音频处理和电源旁路电路
GRM188C71H221JA01D
CC0603JRNPO9BN221
GCM188C71H221FA03
