制造商：Cypress Semiconductor (继承自 Spansion/AMD)
　　系列：AM29LV
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：64 Mbit
　　存储结构：8M x 8 / 4M x 16
　　电源电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　封装：48-ball FBGA (9x11 mm)
　　访问时间：100 ns
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　接口类型：并行接口
　　写保护功能：支持硬件写保护
　　擦除时间：典型 30ms 扇区擦除，典型 2s 芯片擦除
　　编程时间：典型 4μs/字节
　　CFI 支持：支持
　　JEDEC 标准：符合
　　封装尺寸：9 mm x 11 mm x 0.8 mm
　　引脚间距：0.8 mm

AM29LV640ML101REI 具备多项先进特性，使其在嵌入式非易失性存储领域具有广泛适用性。首先，该器件采用先进的 0.23 微米浮栅 Flash 技术制造，确保高可靠性与耐久性，典型情况下可支持 100,000 次编程/擦除周期，数据保存时间可达 20 年以上，即使在极端温度条件下也能保持数据完整性。其次，该芯片支持两种操作模式：读取模式和编程/擦除模式，通过内部状态机控制，用户可通过写入特定命令序列到命令寄存器来启动编程或擦除操作，极大简化了系统软件设计。其支持按扇区（sector）或整片（chip）进行擦除，最小擦除单元为 64 KB 扇区，同时提供 8 KB 和 32 KB 的小扇区用于更精细的数据管理，有利于实现固件更新和参数存储的灵活划分。
　　该芯片具备高性能的随机读取能力，访问时间低至 100ns，支持 XIP（eXecute In Place）功能，即处理器可直接从 Flash 中执行代码，无需将程序加载到 RAM，节省系统资源并提升启动速度。在写入操作方面，器件支持页编程（page programming），每页可写入最多 32 字节，显著提高了批量数据写入效率。内部集成的电荷泵可在单电源供电下完成编程和擦除所需的高压生成，无需额外的 Vpp 引脚，简化了电源设计。
　　为了增强系统稳定性，AM29LV640ML101REI 提供了硬件写保护功能，通过 RESET# 和 WP# 引脚实现对关键区域的保护，防止意外修改。此外，器件支持低功耗模式，在待机状态下电流可低至 20μA，休眠模式下更低至 2μA，非常适合电池供电或对能效敏感的应用。所有操作均符合 ESD 保护标准（超过 2kV HBM），并具备上电复位（Power-up Reset）电路，确保系统上电时处于安全状态。

AM29LV640ML101REI 广泛应用于需要高可靠性、中等容量 NOR Flash 存储的嵌入式系统中。典型应用场景包括工业自动化控制器中的固件存储，网络路由器和交换机的 BIOS/Bootloader 存储，通信基站和传输设备中的配置信息保存，以及医疗设备中的校准数据记录。由于其支持 XIP 特性，该芯片常用于需要快速启动和实时响应的系统，例如车载电子控制单元（ECU）、智能仪表和 POS 终端设备。在消费类电子产品中，它可用于数字电视、机顶盒和家庭网关等设备，用于存储操作系统和应用程序代码。此外，其宽温工作范围和高抗干扰能力也使其适用于户外设备、安防监控系统和航空电子设备。在开发调试阶段，工程师可利用其扇区保护和快速擦写特性进行固件迭代测试。该芯片还适用于需要长期数据保留且不频繁更新的场合，如日志记录、设备序列号存储和加密密钥保存。随着物联网设备的发展，AM29LV640ML101REI 也在部分边缘计算节点中用于本地代码存储，配合微控制器实现离线运行能力。

S29GL064N10TFI01
　　S29GL064N10TAI01
　　S29GL064S10TFI02
　　CY29SL640MB101REI