制造商：AMD (Spansion)
　　类型：NOR Flash
　　容量：8 Mbit (1 MB)
　　组织方式：1 M x 8 位
　　供电电压：5.0V ± 10%
　　工作温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）
　　封装形式：TSOP-32、PLCC-32
　　访问时间：55 ns
　　编程电压：内部电荷泵产生所需高压
　　擦除方式：全片擦除或按扇区擦除
　　扇区结构：16个扇区（每个64 KB）
　　接口类型：并行接口（地址/数据复用或非复用模式）
　　可靠性：典型的耐久性为10万次编程/擦除周期，数据保持时间超过20年
　　安全特性：软件写保护、硬件写保护（通过 RESET 和 ACC 引脚）

AM29F080B-55EC 具备多项关键特性，使其在嵌入式非易失性存储领域中表现出色。首先，其高速55ns的访问时间确保了在高频率系统总线下仍能稳定运行，适用于需要频繁读取代码的应用，如BIOS存储、启动加载程序（bootloader）以及实时操作系统内核的存放。其次，该芯片采用了先进的CMOS技术和内部电荷泵机制，在仅需单一5V电源供电的情况下即可完成编程和擦除操作，避免了传统Flash所需的额外高压编程电源，从而简化了系统电源设计并降低了整体成本。
　　该器件支持两种擦除模式：整片擦除和按扇区擦除。扇区大小为64KB，共16个扇区，允许用户灵活地进行局部更新而不影响其他区域的数据，极大提升了固件升级和配置管理的效率。配合专用的命令寄存器接口，主机可以通过向特定地址写入预定义指令序列来触发编程或擦除动作，实现高度可控的操作流程。此外，AM29F080B 提供了多种写保护机制，包括通过软件启用的锁定功能以及硬件层面的ACC引脚加速写入保护和RESET引脚复位保护，有效防止因误操作或异常断电导致的关键数据损坏。
　　在可靠性和耐久性方面，该Flash器件经过严格测试，保证至少10万次的编程/擦除循环寿命，并能在断电状态下长期保存数据超过20年，满足工业级应用的稳定性需求。同时，其封装符合RoHS环保标准（EC后缀），适用于出口型产品及绿色电子设备的设计。器件还集成了内部状态轮询机制（Data# Polling）和跳转完成检测（Toggle Bit）功能，使主控MCU能够准确判断编程或擦除操作是否完成，而无需依赖固定延时，提高了系统响应效率。最后，AM29F080B-55EC 与同类产品具有良好的引脚和时序兼容性，便于现有系统的升级替换或设计迁移。

AM29F080B-55EC 广泛应用于各种需要可靠、高速非易失性存储的电子系统中。最常见的用途之一是作为计算机主板或其他嵌入式设备的BIOS存储芯片，用于保存开机自检程序（POST）、硬件初始化代码和系统配置信息。由于其快速读取能力和持久性，也非常适合作为工业控制系统中的固件存储介质，例如PLC控制器、HMI人机界面设备以及远程终端单元（RTU）等。
　　在网络通信设备中，该芯片常被用来存储路由器、交换机或防火墙的引导程序（bootloader）和操作系统映像，确保设备上电后能迅速加载运行代码。在消费类电子产品中，如机顶盒、数字电视、打印机和多媒体播放器，AM29F080B 可用于保存设备驱动程序、用户界面资源和出厂设置参数。
　　此外，该器件也适用于汽车电子模块中的辅助存储需求，比如车载导航系统、仪表盘控制单元或车载诊断系统（OBD），尤其是在不需要大容量存储但强调稳定性和环境适应性的场景下表现优异。在医疗仪器、测试测量设备和航空航天电子系统中，因其长期数据保持能力和抗干扰性能，也被选作关键数据或校准信息的存储方案。得益于其并行接口结构和宽温范围选项（部分版本支持扩展温度），AM29F080B-55EC 能够适应复杂多变的工作环境，成为许多传统嵌入式架构中的首选Flash解决方案。

S29GL008D-55TAI010
　　MX29F080AJ-12J6R
　　EN29F080-55SI