时间：2025/4/28 13:37:54
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GA0402H821JXBAP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，适用于高频开关和功率转换应用。该芯片采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统效率并减少能量损耗。
该器件主要应用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、电机驱动器以及各种需要高效功率管理的电子设备中。
型号：GA0402H821JXBAP31G
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：40A
导通电阻（Rds(on)）：4mΩ
栅极电荷（Qg）：75nC
输入电容（Ciss）：2220pF
总功耗（Ptot）：240W
工作温度范围（Tj）：-55℃ to +175℃
GA0402H821JXBAP31G 具有以下突出特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在高电流应用中减少了功率损耗。
2. 快速开关速度，有助于降低开关损耗，并适合高频工作环境。
3. 高雪崩耐量能力，增强了器件在过流或短路条件下的可靠性。
4. 提供了出色的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
5. 小型化封装设计，便于电路板布局和安装，同时节省空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
该芯片广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 新能源汽车的车载充电器及电池管理系统。
5. 工业自动化控制中的功率调节模块。
6. 通信基站的电源管理单元。
IRF540N
STP40NF60
FDP5500
