类型：PROM
　　架构：1K x 8
　　存储容量：8 Kbit
　　编程方式：一次性编程（OTP）
　　工艺技术：双极型（Bipolar）
　　封装形式：24-pin Ceramic DIP
　　工作电压：+5V ±5%
　　读取访问时间：典型值 35ns，最大值 55ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　输出逻辑电平：TTL 兼容
　　输入/输出接口：TTL
　　电源电流：典型值 120mA，最大值 160mA
　　待机功耗：典型值 350mW
　　引脚排列：JEDEC 标准 24-pin DIP

AM27S43DMB 的核心特性之一是其高速读取性能，典型访问时间仅为 35 纳秒，最大不超过 55 纳秒，这使得它在需要快速响应的实时系统中表现出色。这一速度优势源于其采用的双极型晶体管技术，相较于 CMOS 技术虽然功耗较高，但在开关速度方面具有明显优势，尤其适合高频操作环境。
　　该器件的另一个显著特点是其高可靠性设计。采用陶瓷封装不仅提供了良好的散热性能，还增强了器件对湿度、机械应力和化学腐蚀的抵抗能力。这种封装形式在军事和航空航天领域尤为重要，因为这些应用场景往往面临剧烈的温度变化、振动和辐射环境。
　　AM27S43DMB 支持 TTL 电平输入与输出，能够无缝集成到大多数基于 TTL 的数字系统中，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并提高了整体稳定性。其工作电压为标准 +5V，符合传统数字系统的供电规范，便于电源管理设计。
　　作为一次性可编程器件，AM27S43DMB 提供了较高的数据安全性。由于内容无法被修改或擦除，有效防止了未经授权的数据篡改，适用于存储关键系统参数、加密密钥或引导程序等敏感信息。此外，OTP 架构避免了外部存储介质可能带来的故障点，提升了系统整体的鲁棒性。
　　尽管现代系统越来越多地采用闪存或 EEPROM，但在某些对长期数据保持和极端环境适应性有严格要求的应用中，AM27S43DMB 仍具有不可替代的地位。其经过验证的长期稳定性、抗辐射能力和宽温工作特性，使其成为高可靠性嵌入式系统中的理想选择。

AM27S43DMB 广泛应用于对可靠性、稳定性和环境适应性要求极高的领域。在军事电子系统中，它常用于雷达信号处理模块、导弹制导系统和通信加密设备中，作为存储固定算法、校准数据或启动代码的关键组件。其宽温特性和抗辐射能力确保了在战场复杂电磁环境和极端气候条件下仍能稳定运行。
　　在航空航天领域，该器件被用于飞行控制系统、卫星姿态控制单元和航天器遥测系统中。由于太空环境中存在强烈的宇宙射线和极端温度波动，普通商用存储器难以长期可靠工作，而 AM27S43DMB 的陶瓷封装和双极工艺使其具备优异的抗辐射和热稳定性，满足宇航级应用需求。
　　工业自动化系统也是 AM27S43DMB 的重要应用场景。例如，在高温、高湿或强电磁干扰的工厂环境中，该器件可用于 PLC（可编程逻辑控制器）或 CNC（计算机数控）设备中，存储固定的控制逻辑或机器初始化参数。其 TTL 兼容性和快速响应能力有助于提升系统实时性能。
　　此外，在一些老旧但仍在服役的电子设备升级或维护项目中，AM27S43DMB 也常被用作替换原有 PROM 芯片的优选型号，特别是在需要保持原始硬件兼容性的场合。其标准化引脚布局和电气特性确保了与现有电路板的无缝对接，降低了系统维护成本。

MCM27S43DMB
　　DM54S43J