型号：AM27S21ADC
　　制造商：AMD
　　器件类型：UV-EPROM
　　存储容量：2K x 8位（共16Kb）
　　封装形式：28引脚DIP（Dual In-line Package）
　　工作电压：+5V ±5%
　　访问时间：典型值45ns、70ns、90ns（根据速度等级不同）
　　编程电压：VPP = +12.5V 或 +21V（取决于具体编程模式）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　封装材料：陶瓷或塑料DIP带石英窗口
　　擦除方式：紫外线照射（波长253.7nm，能量≥15W·sec/cm2）
　　典型擦除时间：15~30分钟
　　编程脉冲宽度：50μs典型值
　　待机电流：≤100mA
　　读取电流：≤125mA

AM27S21ADC具备多项关键特性，使其在特定应用场景中表现出色。首先，该芯片采用紫外线可擦除技术，用户可在需要时通过暴露于高强度紫外线光源下彻底清除原有数据，随后重新编程写入新的固件或配置信息。这一特性使得它非常适合研发阶段频繁修改代码的系统开发任务，提供了比一次性编程PROM更高的灵活性。
　　其次，AM27S21ADC拥有2K字（即2048个地址）乘以8位的数据结构，总容量为16,384位，足以存储小型引导程序、状态机逻辑表或字符字体数据等基本信息。其快速访问时间（最高速度可达45ns）确保了在高速微处理器系统中也能实现无等待状态的数据读取，提升了整体系统的响应性能。
　　再者，该器件支持标准+5V电源供电，并兼容TTL电平接口，可以直接连接到大多数8位或16位微控制器、微处理器及FPGA/CPLD逻辑电路，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。
　　此外，AM27S21ADC内置高可靠性的浮栅晶体管阵列，能够在断电情况下长期保存数据（典型数据保持时间为10年以上），即使在恶劣环境下也具备良好的耐久性和抗干扰能力。
　　最后，其陶瓷或带窗口的塑料DIP封装不仅便于手工焊接与更换，还支持多次擦写操作，虽然现代EEPROM和Flash存储器已在集成度和便捷性方面超越此类EPROM，但AM27S21ADC因其成熟稳定的技术和广泛的文档支持，仍在教学演示、逆向工程和旧设备修复领域保有一席之地。

AM27S21ADC的应用主要集中在需要非易失性程序存储且允许现场更新的工业与电子系统中。一个典型用途是在老式计算机和嵌入式控制系统中作为BIOS或固件存储器，用于存放启动代码或基本输入输出例程。由于其支持紫外线擦除和重复编程，工程师可以在原型开发阶段反复修改并烧录程序，而无需更换物理芯片，大大降低了研发成本。
　　在工业自动化领域，该芯片常被用于PLC（可编程逻辑控制器）中的逻辑查找表存储，或者在数控机床中保存固定的加工路径指令集。此外，在通信设备如调制解调器、交换机控制板卡中，AM27S21ADC可用于存储协议处理子程序或设备标识信息。
　　教育和科研机构也广泛使用这类EPROM进行数字系统教学实验，例如在微处理器实验箱中让学生亲手编写汇编代码并烧录至芯片，进而观察CPU执行过程，有助于深入理解计算机体系结构和存储器工作机制。
　　军事和航空航天领域的部分 legacy 系统由于认证周期长、替换成本高，至今仍在使用包括AM27S21ADC在内的经典元器件进行维护与备件替换。同时，在电子维修行业中，技术人员常利用该芯片恢复损坏的固件设备，或用于定制化功能扩展模块的设计。
　　尽管当前主流趋势已转向串行SPI Flash或嵌入式Flash解决方案，但AM27S21ADC凭借其直观的操作方式和广泛的工具支持（如通用编程器兼容性强），依然是许多工程师在特定项目中首选的存储介质之一。

MCM27S21DC
　　Intel 27S21
　　UT67S21
　　NTE27S21
　　TMS27S21