型号：NP89N04NUK
　　封装：SOP-8
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：40V
　　连续漏极电流(ID)：16A @ 25℃
　　脉冲漏极电流(IDM)：64A
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：13mΩ @ VGS=10V, ID=8A
　　导通电阻(RDS(on))：17mΩ @ VGS=4.5V, ID=8A
　　阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 2.5V
　　栅极电荷(Qg)：11nC @ VDS=20V, ID=8A
　　输入电容(Ciss)：500pF @ VDS=20V
　　输出电容(Coss)：180pF @ VDS=20V
　　反向恢复时间(trr)：22ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　热阻结到环境(RθJA)：62℃/W
　　热阻结到管壳(RθJC)：3.5℃/W

NP89N04NUK采用先进的沟槽式场效应晶体管技术，具备极低的导通电阻，这使得它在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提升系统效率。其RDS(on)在VGS=10V时仅为13mΩ，在VGS=4.5V时为17mΩ，表现出优异的低压驱动能力，特别适合由逻辑电平信号直接驱动的应用场景，如由微控制器或PWM控制器控制的开关电路。这种低阈值电压与低导通电阻的结合，使其在电池供电设备或节能型电源系统中表现出色。
　　该器件具有较小的栅极电荷（Qg=11nC），这意味着在高频开关应用中所需的驱动功率更低，有助于减小驱动电路的设计复杂度并提高整体能效。同时，较低的输入和输出电容（Ciss=500pF，Coss=180pF）进一步减少了开关过程中的充放电能量损失，提升了开关速度，适用于高达数百kHz甚至更高的开关频率应用，例如同步整流DC-DC变换器、Buck/Boost拓扑结构等。
　　SOP-8封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，配合底部裸露焊盘可有效将热量传导至PCB，实现高效散热。器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，确保在极端环境条件下仍能可靠运行。此外，NP89N04NUK具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载关断时提供一定的自我保护能力，增强了系统的鲁棒性。
　　该MOSFET还通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏置测试（HTRB）、高温栅极偏置测试（HTGB）等，确保长期使用的稳定性。其符合RoHS指令，无铅且绿色环保，适用于消费电子、工业控制、通信设备等多种领域。由于其引脚排列与常见的SiSS系列或其他品牌同类产品兼容，便于在已有设计中进行替代或升级，降低了重新布板的成本和周期。

NP89N04NUK广泛应用于多种中低电压、中高电流的功率开关场景。典型应用包括同步整流式DC-DC降压（Buck）或升压（Boost）转换器，在这些电路中作为主开关或同步整流管使用，凭借其低RDS(on)和快速开关特性，显著提高电源转换效率，减少发热。在便携式电子设备如笔记本电脑、平板、移动电源中，常用于电池管理系统的充放电控制回路，作为负载开关或理想二极管替代方案，实现高效的能量传输与路径切换。
　　在电机驱动应用中，NP89N04NUK可用于H桥或半桥拓扑结构中，驱动直流有刷电机或步进电机，其高电流承载能力和快速响应特性确保电机启停平稳、控制精确。此外，在LED驱动电源中，该器件可用于恒流调节电路中的开关元件，支持调光功能并保持高光效。
　　在电源适配器、充电器、小型逆变器等开关电源（SMPS）产品中，NP89N04NUK可作为初级侧或次级侧的开关管使用，尤其适合次级同步整流环节，替代传统肖特基二极管以降低压降损耗，提升整体能效。在工业控制领域，该器件也常见于继电器驱动、电磁阀控制、热插拔电源模块等需要快速通断和高可靠性的场合。
　　得益于其SOP-8封装的小型化优势，NP89N04NUK非常适合对空间敏感的设计，如智能家居设备、物联网终端、无人机电源模块等。同时，其稳定的电气性能和宽温工作范围使其能在汽车电子外围电路、车载充电装置中安全运行（需注意实际车规认证情况）。总之，凡是需要高效、紧凑、可靠的N沟道MOSFET解决方案的场合，NP89N04NUK都是一个极具竞争力的选择。

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　　 "NCEP89N04U",
　　 "AP4404GN",
　　 "SI2304DDS",
　　 "AON6240",
　　 "FDS6680A"
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