时间：2025/12/23 13:38:17
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IRF640NS 是一款由 Vishay 提供的 N 沁道 场效应晶体管（MOSFET），属于 HEXFET 系列。该器件采用 TO-220 封装，广泛应用于开关电源、电机驱动和功率控制等场景。其高击穿电压和低导通电阻特性使其在中高功率应用中表现出色。
IRF640NS 是 IRF640 的改进版本，具有更高的雪崩能力及更优的热性能，适用于需要高可靠性和稳定性的工业和消费类电子设备。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：8A
栅极阈值电压：4V 至 6V
导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω（在 Vgs=10V 时）
总功耗：175W
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
IRF640NS 是一种增强型垂直功率 MOSFET，具备以下特点：
1. 高击穿电压（500V），适合高压应用环境。
2. 较低的导通电阻（0.35Ω），有助于减少传导损耗。
3. 快速开关速度，支持高频操作。
4. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
5. 可靠的 TO-220 封装设计，便于散热和安装。
这些特性使得 IRF640NS 在开关电源、逆变器、DC-DC 转换器以及其他功率转换电路中表现优异。
IRF640NS 主要用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率控制。
3. 各种 DC-DC 转换器。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 电池充电管理。
6. 电感式负载切换控制。
由于其高压和大电流处理能力，IRF640NS 成为许多功率应用的理想选择。
IRF640, IRF640PBF, STP12NM50, FQP19N50
