KHB1D0N60I 时间：2025/12/28 14:53:01 阅读：15

KHB1D0N60I 是一款由KIA Semiconductor（启达半导体）设计和生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源转换系统而设计，适用于如开关电源、DC-DC转换器、电池充电器以及各种电机控制和功率开关应用。KHB1D0N60I采用了先进的高压沟槽工艺技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和优异的热稳定性，从而确保在高负载条件下仍能保持稳定的工作性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：12A
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.45Ω @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

KHB1D0N60I具有多项关键特性，使其适用于高要求的功率管理应用。首先，其高耐压能力（600V VDS）使其能够承受高电压环境下的工作压力，适用于AC-DC转换器等高压应用。其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为0.45Ω，从而降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，KHB1D0N60I的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的最大栅源电压，使得其在不同控制电路中具有良好的兼容性。
　　在热性能方面，该器件采用了TO-220封装，具有良好的散热能力，确保在高功率负载下仍能维持稳定的温度表现。此外，KHB1D0N60I具备出色的雪崩能量耐受能力，能够在突发电压或电流冲击下保持结构完整性，提高系统的可靠性。该MOSFET还具备快速开关特性，有助于降低开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。最后，KHB1D0N60I的工作温度范围广泛（-55°C至+150°C），适用于各种严苛的工业和汽车电子环境。

应用

KHB1D0N60I广泛应用于多种电力电子系统中。在电源管理领域，它常用于开关电源（SMPS）、AC-DC适配器和DC-DC转换器中作为主开关器件，以实现高效率的能量转换。在电机控制应用中，例如无刷直流电机（BLDC）驱动器和伺服控制系统，KHB1D0N60I能够提供稳定的功率输出，并支持PWM调速功能。此外，该MOSFET还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制，确保电池组的安全和高效运行。在照明系统中，如LED驱动电源，KHB1D0N60I也能够提供稳定的高压开关性能。在工业自动化设备、家电控制电路以及车载电源系统中，该器件同样具备广泛的应用潜力。