型号：AM27LS03DC
　　制造商：AMD
　　类型：一次性可编程PROM（OTP PROM）
　　存储容量：1K x 8位（1024字节）
　　电源电压：+5V ±5%
　　访问时间（典型值）：150ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装类型：DIP-24（双列直插）
　　逻辑系列：低功耗肖特基TTL（LS-TTL）
　　输入电平兼容性：TTL/CMOS兼容
　　输出驱动能力：标准TTL负载
　　编程电压：VPP = +12.5V（编程时所需）
　　待机电流：≤ 50mA
　　工作电流：≤ 75mA

AM27LS03DC采用低功耗肖特基（Low-Power Schottky）TTL工艺制造，这一技术通过在晶体管的基极-集电极结之间引入肖特基势垒二极管，有效防止晶体管进入深度饱和状态，从而显著缩短了开关延迟时间，提高了器件的运行速度。同时，由于减少了饱和带来的载流子存储效应，器件的动态功耗也得以降低，使其在保持高速性能的同时实现了相对较低的功耗水平，非常适合对响应速度和能耗有平衡要求的应用场合。
　　作为一款一次性可编程只读存储器（OTP PROM），AM27LS03DC允许用户在其生命周期内仅写入一次数据，之后内容将永久固化，无法更改。这种特性确保了存储数据的高度安全性与不可篡改性，在防止非法复制或修改程序代码方面具有优势。该器件通常用于存储系统启动代码（Bootloader）、校准数据、设备配置信息或固定的查找表等不需要频繁更新的信息。其1K x 8位的存储结构提供了足够的空间来容纳小型固件程序，尤其适用于资源受限的微控制器系统或专用逻辑电路中。
　　该芯片具备良好的电气兼容性，输入端支持TTL和CMOS电平信号，能够无缝接入多种数字系统平台。输出端则能直接驱动标准TTL负载，无需额外的缓冲或电平转换电路，简化了系统设计。此外，AM27LS03DC在编程过程中需要提供较高的编程电压（通常为+12.5V），此电压通过特定引脚（如VPP）施加，以确保熔丝（fuse）或反熔丝（antifuse）结构正确烧写。编程完成后，器件即可在常规+5V供电下正常读取数据。
　　尽管AM27LS03DC不具备紫外线擦除功能（与EPROM不同），也不支持电擦除（如EEPROM或Flash），但其结构简单、成本低廉、可靠性高，因此在上世纪80年代至90年代被广泛应用于各种消费类电子产品、工业控制系统和通信设备中。即使在当前，对于某些需要长期稳定运行且不需升级固件的设备而言，这类OTP PROM仍具备一定的实用价值。

AM27LS03DC主要用于需要永久性存储固定程序或数据的电子系统中。典型应用场景包括早期微处理器系统的引导程序（Boot Code）存储，例如在工业控制设备、自动化仪器和专用计算模块中作为固件载体。由于其一次性编程特性，特别适合用于防止软件盗版或保护知识产权的场合，例如在加密狗、授权密钥存储或硬件认证模块中嵌入唯一识别码或算法参数。
　　在通信设备领域，AM27LS03DC可用于存储设备初始化配置、协议栈常量表或字符映射表等静态数据。在测试测量仪器中，它常被用来保存校准系数、传感器补偿曲线或菜单显示文本，确保每次上电后系统能快速加载必要的参考数据。此外，在PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床和电梯控制系统等工业自动化设备中，该芯片可用于实现逻辑控制程序的固化，提升系统抗干扰能力和运行稳定性。
　　由于其DIP-24封装易于手工焊接和更换，AM27LS03DC也常见于教学实验平台、电子爱好者项目以及原型验证系统中，用于演示PROM编程原理或构建简单的查表功能电路。在军事和航空航天领域的部分老旧装备维护中，该型号仍可能作为备件使用，用于替换故障的原始存储器模块，保障 legacy system 的持续运行。虽然现代设计更多采用Flash或EEPROM方案，但在某些对成本敏感且无需现场升级的嵌入式应用中，AM27LS03DC仍具替代价值。

MCM27LS03DC
　　DM7LS03N
　　MM7LS03N
　　TMS27LS03