时间：2025/5/20 19:08:19
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MDD1951RH 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高效率功率转换领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频工作条件下保持高效性能。
该芯片的封装形式为 TO-220，能够提供出色的散热性能，适用于需要大电流输出和良好热管理的场景。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：50A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：4mΩ
栅极电荷：45nC
开关时间：ton=25ns, toff=40ns
结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关特性，适合高频应用环境。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
5. 内置反向恢复二极管，支持同步整流和续流保护功能。
6. 良好的热稳定性，确保在高温环境下长时间运行。
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关元件。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 系统。
4. LED 驱动器和 DC/DC 转换器。
5. 工业控制设备中的功率级模块。
6. 各类高效率功率转换场合。
IRFZ44N, STP50NF06L
