AM27H256-45PC是一款由AMD(Advanced Micro Devices)生产的256Kbit(32K x 8)高性能紫外线可擦除可编程只读存储器(UV EPROM)。该芯片采用NMOS技术制造,具有高可靠性与稳定的性能表现,广泛应用于需要非易失性程序存储的工业控制、通信设备和嵌入式系统中。其型号中的'27H256'表示这是一款256Kbit容量的EPROM器件,而'-45'代表其最大访问时间为45纳秒,适用于中高速系统应用。'PC'通常指该器件采用的是双列直插式陶瓷封装(Ceramic DIP),具备良好的散热性和抗干扰能力,适合在较严苛的环境条件下运行。AM27H256-45PC通过紫外线照射窗口可实现芯片内容的完全擦除,之后可重新编程,这种可重复擦写特性使其在产品开发、调试和小批量生产阶段尤为实用。该器件工作电压为+5V,兼容TTL电平接口,便于与多种微处理器和微控制器直接连接。尽管随着闪存技术的发展,EPROM已逐渐被更现代的存储器所取代,但AM27H256-45PC仍在一些老旧系统维护、军工设备和特定工业场合中继续使用。
制造商:AMD
产品系列:27H256
存储容量:256 Kbit
组织结构:32K x 8
工艺技术:NMOS
封装类型:CERDIP(陶瓷双列直插)
引脚数:28
最大访问时间:45 ns
工作电压:+5V ±5%
编程电压:+12.5V 至 +13V
工作温度范围:0°C 至 +70°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
紫外线擦除时间:约15分钟至20分钟(波长253.7nm)
典型功耗(待机):约150 mW
输出驱动能力:支持TTL电平输出
封装形式:JEDEC标准28引脚DIP
窗口类型:石英窗(用于紫外线擦除)
AM27H256-45PC具备多项关键特性,确保其在复杂电子系统中的稳定运行和长期可靠性。
首先,该器件采用高性能NMOS技术,提供快速的数据访问能力,其最大访问时间为45ns,能够满足中高速微处理器系统的时序要求,显著提升系统响应速度和整体性能。其次,其256Kbit(32KB)的存储容量对于早期嵌入式系统和固件存储而言非常适中,既能容纳较大规模的程序代码,又不会造成过多资源浪费。
此外,AM27H256-45PC支持标准+5V供电,简化了电源设计,并通过内部电路优化降低了功耗,在正常操作模式下功耗较低,同时具备待机模式以进一步节能。其编程电压要求为+12.5V至+13V,需通过专用编程器完成烧录操作,确保数据写入的安全性和准确性。
该芯片的陶瓷DIP封装不仅提供了优异的机械强度和热稳定性,还具备良好的抗电磁干扰(EMI)能力,适合在工业环境或高可靠性要求的应用中使用。封装顶部的石英窗口允许用户通过紫外线光源对芯片内容进行彻底擦除,通常暴露于253.7nm波长的紫外线下15至20分钟即可完成擦除过程,之后可重新编程多达数百次(典型耐久性为100次以上)。
AM27H256-45PC还具备出色的抗辐射能力和长期数据保持特性,在正常存储条件下,数据可保留长达10年以上。其输出接口兼容TTL电平,可直接驱动多数逻辑电路和微控制器,无需额外电平转换电路,提升了系统集成的便利性。此外,该器件经过严格的老化测试和质量控制流程,确保在各种工作条件下的稳定性和一致性,是许多传统工业控制系统和军事装备中的首选存储解决方案之一。
AM27H256-45PC主要应用于需要可靠非易失性程序存储的各类电子系统中。
在工业自动化领域,它常被用于PLC(可编程逻辑控制器)、数控机床和工业监控设备中,作为固件或引导程序的存储介质,因其高稳定性和抗干扰能力,能够在恶劣工业环境中长期运行。在通信设备方面,该芯片曾广泛用于调制解调器、交换机和路由器等设备中,用于存放启动代码和配置信息。
在嵌入式系统开发过程中,AM27H256-45PC由于其可重复擦写特性,成为原型设计和调试阶段的理想选择,工程师可以多次修改并烧录程序,加快开发进度。此外,该器件也常见于老旧计算机系统、终端设备和测试仪器中,作为BIOS或诊断程序的载体。
由于其陶瓷封装具备良好的耐温性和密封性,AM27H256-45PC也被应用于部分军用和航空航天电子设备中,尤其适用于需要长期稳定运行且不易更换组件的场景。教育和科研机构也常使用此类EPROM芯片进行计算机体系结构和数字电路教学实验,帮助学生理解存储器的工作原理和编程机制。
尽管当前主流系统已转向使用Flash存储器,但在系统维护、设备升级和替代元器件短缺的情况下,AM27H256-45PC仍具有重要的实际应用价值,特别是在修复和延续旧有设备生命周期方面发挥着不可替代的作用。
M27C256B-45F1
M27C256B-45F6
TMS27C256-45NL
MBM27C256-45PF
Intel 27C256