类型：DRAM
　　子类型：Mobile SDRAM
　　容量：128MB
　　数据宽度：16位
　　电压：1.7V - 3.3V（根据具体版本）
　　封装：FBGA
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　时钟频率：166MHz
　　封装尺寸：54-ball FBGA
　　封装高度：1.0mm或1.4mm（视具体版本而定）
　　接口：LVTTL兼容
　　刷新周期：64ms
　　访问时间：5.4ns
　　功耗：典型工作电流约100mA（视工作频率和模式而定）

HY5MS5B2LF-S 具有多种低功耗模式，包括自动刷新（Auto Refresh）、自刷新（Self Refresh）和深度掉电模式（Deep Power Down），可有效延长移动设备的电池续航时间。
　　其封装设计紧凑，符合JEDEC标准，便于在各种便携式设备中集成。
　　该芯片支持突发模式访问，提升数据传输效率。
　　同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力，适用于复杂的电子环境。
　　此外，HY5MS5B2LF-S 还具备较高的数据存储可靠性，适合对性能和功耗都有较高要求的应用场景。

HY5MS5B2LF-S 主要应用于对空间和功耗敏感的便携式电子设备中，例如智能手机、平板电脑、穿戴式设备、数码相机、MP3播放器、PDA以及其他嵌入式系统设备。
　　在这些应用中，它常用于缓存临时数据、图像处理、操作系统运行空间等任务，确保设备在有限的电力供应下仍能保持较高的性能表现。
　　由于其良好的兼容性和稳定性，HY5MS5B2LF-S 也适用于工业控制、车载系统、医疗设备等对可靠性有较高要求的场景。

IS42S16100B-6T, MT48LC16M16A2B4-6A