时间：2025/6/19 15:44:44
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20SVPK470M 是一款金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用TO-252封装形式。该器件通常被用于功率转换、电机驱动和开关电源等应用中。这款 MOSFET 具有较低的导通电阻和较高的开关速度，非常适合高效率功率管理场景。
最大漏源电压：470V
连续漏极电流：20A
导通电阻：3.5Ω
栅极电荷：15nC
开关时间：ton=48ns, toff=18ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
20SVPK470M 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。它具有高雪崩能量能力，能够承受短暂的过载条件而不损坏。其低导通电阻减少了传导损耗，从而提高了系统效率。此外，该器件还具有快速开关性能，有助于降低开关损耗。
它的封装设计优化了散热性能，使得其在高温环境下仍能保持稳定运行。另外，由于采用了先进的制造工艺，该器件还具有高度一致性和可靠性，适合大规模工业应用。
20SVPK470M 广泛应用于各种需要高效功率转换的场合，例如开关模式电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机控制器以及太阳能逆变器等。此外，它也可以用作负载开关或保护电路中的关键组件。
由于其高耐压特性和大电流处理能力，该器件非常适合在汽车电子、工业自动化和家用电器等领域使用。
IRF640N, STP20NM60E
