AP90T03S 时间：2025/9/14 13:03:48 阅读：16

AP90T03S 是一款由 Diodes 公司（原安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和高功率密度，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。AP90T03S 通常采用 TO-252（DPAK）封装，适用于表面贴装技术（SMT），便于在 PCB 上安装。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：90A
　　导通电阻 Rds(on)：3.2mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

AP90T03S 的最大漏源电压为 30V，能够承受较高的电压应力，适用于中低压功率转换应用。其栅源电压范围为 ±20V，确保了器件在不同驱动条件下的稳定工作。该 MOSFET 在 Vgs=10V 时的导通电阻仅为 3.2mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　该器件的最大连续漏极电流可达 90A，适合高电流应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动器和电源管理系统。AP90T03S 采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，同时支持表面贴装技术，便于实现自动化生产和紧凑的电路布局。
　　此外，AP90T03S 还具有良好的热稳定性和抗冲击能力，能够在高温环境下可靠运行。其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适用于工业级和汽车级应用。该 MOSFET 内部还集成了反向续流二极管，增强了其在高频开关应用中的性能。

应用

AP90T03S 广泛应用于各类电源管理系统中，包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及工业自动化控制系统等。由于其低导通电阻和高电流承载能力，特别适合用于需要高效率和高性能的电源设计。此外，AP90T03S 还可用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统等。其高可靠性和宽温度范围也使其成为工业控制和通信设备中理想的功率开关器件。