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AM27C2048-150DC 发布时间 时间:2025/12/28 2:31:07 查看 阅读:10

AM27C2048-150DC是一款由AMD(现为Microchip Technology Inc.)生产的2兆位(256K x 8)的高性能CMOS紫外线可擦除可编程只读存储器(UV-EPROM)。该器件属于AM27C系列,采用先进的浮栅CMOS技术制造,具备高可靠性、低功耗和出色的抗辐射性能。AM27C2048能够存储262,144字节的数据,适用于需要非易失性程序存储的应用场景。该芯片封装形式为DIP(双列直插式封装),型号后缀中的'-150'表示其最大访问时间为150纳秒,适合中等速度要求的系统应用。DC后缀表明其采用陶瓷DIP封装,具有良好的散热性和长期稳定性,尤其适用于工业级或军事级环境。
  该芯片通过标准的5V电源供电,兼容TTL电平接口,便于与多种微处理器和微控制器直接连接。编程电压通常为VPP=12.5V,在正常读取模式下仅需5V工作电压,降低了系统设计复杂度。此外,AM27C2048支持紫外线擦除功能,用户可通过移除芯片并暴露于紫外光下(约15至20分钟)来清除所有数据,从而实现多次重复编程,适用于研发调试、固件升级频繁或小批量定制化生产场景。

参数

制造商:AMD / Microchip Technology
  产品类别:EPROM
  存储容量:2 Mbit (256K x 8)
  电源电压:5 V ±10%
  最大访问时间:150 ns
  工作温度范围:0°C 至 +70°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  封装类型:CERDIP (Ceramic Dual In-line Package)
  引脚数:28
  编程电压(VPP):+12.5V ±0.5V
  读取电流(典型值):35 mA
  待机电流(最大值):100 μA
  输出高电平电压(VOH):≥ 2.4 V (TTL 兼容)
  输出低电平电压(VOL):≤ 0.4 V
  输入逻辑电平:TTL 兼容
  封装宽度:0.6英寸(标准DIP)
  重量:约1.5克

特性

AM27C2048-150DC具备多项关键特性,使其在传统嵌入式系统和工业控制设备中广受欢迎。首先,其采用CMOS工艺制造,在保证高速性能的同时显著降低了功耗。在待机模式下,电流消耗仅为100μA,有效延长了系统的电池寿命或减少了热管理负担,特别适合对能耗敏感的应用场合。其次,该芯片具有优异的抗干扰能力,能够在电磁噪声较强的工业环境中稳定运行。其输出驱动能力符合TTL电平标准,无需额外电平转换电路即可直接连接大多数8位或16位微处理器,如8086、8051、Z80等,简化了系统设计。
  另一个重要特性是其可重复编程能力。作为紫外线擦除型EPROM,AM27C2048允许用户在开发阶段多次修改固件内容,只需将芯片从插座中取出,并放入专用的EPROM擦除器中进行紫外线照射即可完成清空操作。这一特性极大地提高了研发效率,避免了因程序错误导致的硬件更换成本。同时,芯片内部浮栅结构经过优化设计,数据保存时间可达10年以上,确保长期运行的可靠性。
  该器件还具备良好的环境适应性。陶瓷DIP封装不仅提供了优异的散热性能,还能有效防止湿气渗透和机械应力损伤,提升了在高温、高湿或振动环境下的耐用性。此外,AM27C2048支持宽范围的存储温度,可在极端条件下安全存放,适合航空航天、军工设备等严苛应用场景。最后,其150ns的存取速度足以满足大多数经典处理器系统的时序要求,兼顾性能与成本,是替代老式NMOS EPROM的理想选择。

应用

AM27C2048-150DC广泛应用于各类需要非易失性程序存储的电子系统中。常见用途包括工业自动化控制系统,例如PLC(可编程逻辑控制器)中的固件存储模块,用于保存启动代码和核心控制算法。在通信设备领域,它被用于调制解调器、路由器和交换机的引导ROM中,确保设备上电后能正确加载初始配置。此外,该芯片也常见于测试测量仪器,如示波器、频谱分析仪等高端设备中,用于存放校准数据和操作界面程序。
  在消费类电子产品方面,AM27C2048曾广泛用于老式游戏机卡带、打印机固件模块以及音频视频设备的BIOS存储。由于其可重复擦写特性,在研发实验室中常作为原型验证阶段的程序烧录载体,配合通用编程器使用,方便工程师快速迭代软件版本。教育机构和电子爱好者也常用此类芯片进行单片机学习板的设计与教学实践。
  在军事与航空电子系统中,因其陶瓷封装具备较高的抗辐射和耐温能力,AM27C2048-150DC可用于雷达信号处理单元、飞行控制计算机和导航系统的只读程序存储部分。尽管现代系统已逐渐转向Flash存储器,但在一些老旧系统维护、备件替换或特殊认证要求的场景下,该芯片仍具有不可替代的价值。

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SST39SF040-70-4I-PHE

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