时间：2025/10/7 6:52:17
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UPW2A100MDH是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的功率MOSFET器件，属于其高性能功率晶体管产品线中的一员。该器件专为高效率、高频开关应用设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及消费类电子设备中的功率控制模块。UPW2A100MDH采用先进的沟道型MOSFET制造工艺，具备低导通电阻、快速开关响应和良好的热稳定性等特点，能够在紧凑的空间内实现高效的电能转换。该器件封装形式为小型表面贴装型（如SOP或类似功率增强型封装），有助于减少PCB占用面积，同时通过优化的引脚布局降低寄生电感与电阻，提升整体系统性能。由于其额定电压和电流参数适中，适合用于电池供电设备或低压直流系统中作为主开关元件或同步整流器件。此外，该MOSFET在设计上注重可靠性，在高温环境下仍能保持稳定工作，符合工业级和汽车级应用的部分要求，并通过了相关国际安全与环保认证，如RoHS合规性等。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：20V
栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：7.5A
脉冲漏极电流(ID_pulse)：30A
导通电阻(RDS(on))：最大9.5mΩ @ VGS=10V；最大12mΩ @ VGS=4.5V
阈值电压(Vth)：典型值1.2V，范围1.0V~1.8V
输入电容(Ciss)：约1200pF @ VDS=10V, f=1MHz
输出电容(Coss)：约400pF
反向恢复时间(trr)：约15ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOP-8（Power SOP或带散热焊盘版本）
UPW2A100MDH具有多项优异的电气与物理特性，使其成为现代高效能电源系统中的理想选择。首先，其低导通电阻RDS(on)显著降低了在导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效，尤其是在大电流应用场景下效果更为明显。例如，在同步降压变换器中用作下管时，低RDS(on)可有效减少I2R损耗，从而降低温升并延长设备寿命。其次，该器件具备快速开关能力，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输入/输出电容，使得其在高频开关操作中表现出色，适用于高达数百kHz甚至接近1MHz的开关频率环境，满足现代电源小型化和高功率密度的需求。
此外，UPW2A100MDH采用了优化的芯片结构设计，增强了器件的雪崩耐受能力和抗短路过载能力，提升了在异常工况下的可靠性。其栅氧层经过严格工艺控制，确保在额定VGS范围内长期稳定运行，避免因栅极击穿导致失效。器件还具备良好的热传导性能，封装底部通常设有导热焊盘，可通过PCB上的大面积铜箔将热量迅速散发，进一步提高功率处理能力。温度对参数的影响较小，例如RDS(on)随温度上升的增长率相对平缓，有利于维持系统在宽温范围内的稳定性。
另一个重要特性是兼容逻辑电平驱动的能力。其阈值电压较低（典型1.2V），可在3.3V或5V逻辑信号直接驱动下充分导通，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了系统设计，降低了成本。同时，体二极管的反向恢复特性经过优化，减少了在续流过程中产生的尖峰电压和电磁干扰，提升了EMI性能。这些综合特性使UPW2A100MDH不仅适用于常规电源转换，也能胜任对动态响应和效率要求较高的精密控制系统。
UPW2A100MDH的应用领域涵盖了多种需要高效、紧凑型功率开关的电子系统。在便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理单元中，常被用于电池充放电控制、负载开关或DC-DC降压/升压转换电路中，凭借其小封装和低功耗优势，有助于延长续航时间并缩小主板尺寸。在通信设备中，如路由器、交换机的板级电源模块中，它可用于多相VRM（电压调节模块）设计，提供稳定的处理器供电。
工业控制方面，该器件可用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器供电模块或小型电机驱动电路中，实现精确的功率调控。在LED照明驱动电源中，作为同步整流管使用可以显著提高转换效率，减少发热问题。此外，在电动工具、无人机电源系统及车载信息娱乐系统的辅助电源中也有广泛应用。由于其具备一定的抗干扰能力和温度适应性，也可部署于汽车电子中的非引擎舱区域，如车身控制模块或车载充电器内部。
值得一提的是，UPW2A100MDH还可用于热插拔控制器电路中，作为主通断开关，防止上电瞬间的浪涌电流损坏后级电路。在服务器和数据中心的分布式电源架构中，大量采用此类高性能MOSFET构建POL（Point-of-Load）转换器，以满足高电流、低电压的数字核心供电需求。总体而言，该器件因其高性价比、可靠性和易于集成的特点，在中低端功率应用中占据重要地位。
UPW2A100MEH
SiSS108DN-T1-E3
AON6260
FDMC8878
