IXGX32N170H1
时间:2023/3/6 14:31:30
阅读:485
制造商: IXYS
封装 / 箱体: PLUS247
概述
制造商: IXYS
封装 / 箱体: PLUS247
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1700 V
集电极—射极饱和电压: 3.3 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
集电极最大连续电流 Ic: 75 A
封装: Box
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 55 C
IXGX32N170H1参数
- 标准包装30
- 类别分离式半导体产品
- 家庭IGBT - 单路
- 系列HiPerFAST™
- IGBT 类型NPT
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1700V
- Vge, Ic时的最大Vce(开)3.3V @ 15V,32A
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大)75A
- 功率 - 最大350W
- 输入类型标准型
- 安装类型通孔
- 封装/外壳TO-247-3
- 供应商设备封装PLUS247?-3
- 包装盒