型号：AM27C020-250LS
　　容量：2 Mbit (256K x 8)
　　封装类型：28-pin DIP 或 PLCC
　　电源电压：+5V ±10%
　　最大访问时间：250 ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商用级）
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　编程电压：+12.5V ±0.5V
　　待机电流：≤100 μA（典型值）
　　读取电流：≤75 mA（最大值）
　　数据保持时间：≥10年（在额定工作条件下）
　　擦除方式：紫外线擦除（波长253.7nm，能量≥15W·sec/cm2）
　　编程时间：每个字节约100μs
　　输入/输出电平：TTL兼容

AM27C020-250LS具备多项关键特性，使其在传统EPROM应用中表现出色。首先，其256K x 8的组织结构提供了充足的程序存储空间，适用于中等规模的固件存储需求。该器件采用高性能CMOS工艺制造，在保证250ns快速读取速度的同时有效降低了功耗，尤其是在待机模式下电流极低，有助于延长系统电池寿命或减少散热设计负担。其次，该芯片具有高度的可靠性和耐久性，支持至少1000次的编程与擦除周期，确保在多次固件升级过程中仍能稳定运行。其数据保持能力超过10年，即使在恶劣环境条件下也能维持信息完整性。此外，AM27C020-250LS集成了VPP监控电路，能够在编程电压异常时自动禁止写入操作，防止误编程导致的数据损坏。器件还具备AC/DC电气规范的一致性测试能力，确保在不同工作条件下的稳定性。为了提高系统的抗干扰能力，该芯片采用了噪声抑制技术和输出三态控制功能，可在多总线系统中安全挂接而不会影响其他设备。在物理设计方面，窗口式陶瓷封装允许用户通过专用EPROM擦除器进行紫外线擦除，方便重复使用。同时，该器件符合工业标准引脚排列（如与Intel 27C256兼容），简化了电路板布局和替换过程。AM27C020-250LS还具备良好的抗静电能力（ESD保护）和辐射容忍度，适用于工业自动化、电信基础设施等对可靠性要求较高的场合。值得一提的是，虽然现代系统更多采用Flash存储器，但EPROM在某些老旧系统维护、教学实验及特殊认证环境中依然不可或缺，AM27C020-250LS因其长期供货历史和广泛的技术文档支持，成为许多工程师首选的替代方案之一。
　　

AM27C020-250LS主要用于需要非易失性程序存储且对数据持久性和可靠性要求较高的应用场景。典型应用包括工业控制系统中的PLC（可编程逻辑控制器）固件存储，其中程序需长期保存并在断电后不丢失；通信设备如调制解调器、路由器和交换机中用于存放启动代码或配置信息；在消费类电子产品中，如老式游戏机、电子琴、打印机等设备的BIOS或主控程序存储；此外，它也常见于汽车电子模块、医疗仪器和测试测量设备中，作为引导程序或校准数据的存储介质。由于其支持紫外线擦除和重复编程，该芯片非常适合研发阶段的原型验证和小批量生产环境，工程师可以反复修改并烧录程序，而不必更换新的存储器。在教育和培训领域，AM27C020-250LS常被用于微处理器实验平台，帮助学生理解存储器工作原理和编程机制。在军事和航空航天领域，尽管新型存储器更为普遍，但在一些经过认证的老化系统中，该型号仍被保留使用以确保系统兼容性和安全性。另外，该器件还可用于替代某些早期微控制器内部ROM不足的情况，外扩程序存储空间。由于其TTL电平兼容性和标准地址/数据总线接口，能够轻松连接到8位或16位微处理器系统，例如Z80、8051、68000等架构。即使在当前以Flash为主流的时代，AM27C020-250LS仍然在维修、逆向工程和遗产系统维护中发挥重要作用，尤其是在无法获取原始定制芯片的情况下，成为理想的替换选择。

M27C2001-25F1
　　MBM27C2001L-25JNE1